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公开(公告)号：CN101032031A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580033078.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管具有有机半导体部分，并且通过提高所述有机半导体部分的驱动稳定性来减小因驱动导致的特性变化。所述场效应晶体管含有栅绝缘部分、有机半导体部分、以及源极和漏极，该场效应晶体管的特征在于，当在70℃下向栅施加使所述栅绝缘部分中的电场强度达到100±5MV/m的电压5.0±0.1小时时，阈值电压的变化在5V以内。
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公开(公告)号：CN101501080A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780028970.0
申请日：2007-08-02
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C08F12/30 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052 , C08F212/14 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C08F220/30
Abstract: 本发明提供一种绝缘层，该绝缘层能够在用于电子元件时改善元件特性，为此绝缘层中含有包含下式表示的重复单元的高分子绝缘体。式中，Ra表示直接键合或任意的连接基团，Ar表示具有或不具有取代基的2价芳香族基团，Rb表示氢原子、氟原子或一价有机基团。
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公开(公告)号：CN102379042A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014681.7
申请日：2010-04-07
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/41725 , H01L29/78 , H01L51/0012 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 提供具有高迁移率且迁移率的离差小的场效应晶体管。以源极和/或漏极在平行于沟道长度方向且垂直于衬底的截面中具有楔形部的方式，形成源极和/或漏极，通过涂布法形成半导体层，由此制造至少具有衬底、半导体层、源极和漏极的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN101667624A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910165165.3
申请日：2003-07-31
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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公开(公告)号：CN101268566A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034697.8
申请日：2006-09-20
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L51/05 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0036 , H01L51/0067 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及有机半导体材料和有机场效应晶体管。本发明提供了一种稳定性良好的有机半导体材料，其可以被用于涂布工序，同时具有高的规则性和结晶性。为了提供所述有机半导体材料，使用如下化合物，所述化合物是6个～20个5元环和/或6元环的芳香环键合而成的，并且具有由下式(1)表示的部分结构，其迁移率是1.0×10－3cm2/Vs以上，固体状态下的电离电位是4.8eV～5.6eV。式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢原子或一价有机基团，其中，R1和R2中的至少一个是可以具有取代基的芳香族基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1672264A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03817832.X
申请日：2003-07-31
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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公开(公告)号：CN102379042B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080014681.7
申请日：2010-04-07
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/41725 , H01L29/78 , H01L51/0012 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 提供具有高迁移率且迁移率的离差小的场效应晶体管。以源极和/或漏极在平行于沟道长度方向且垂直于衬底的截面中具有楔形部的方式，形成源极和/或漏极，通过涂布法形成半导体层，由此制造至少具有衬底、半导体层、源极和漏极的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN101667624B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910165165.3
申请日：2003-07-31
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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公开(公告)号：CN101501080B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780028970.0
申请日：2007-08-02
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C08F12/30 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052 , C08F212/14 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C08F220/30
Abstract: 本发明提供一种绝缘层，该绝缘层能够在用于电子元件时改善元件特性，为此绝缘层中含有包含下式表示的重复单元的高分子绝缘体。式中，Ra表示直接键合或任意的连接基团，Ar表示具有或不具有取代基的2价芳香族基团，Rb表示氢原子、氟原子或一价有机基团。
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公开(公告)号：CN100594617C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN03817832.X
申请日：2003-07-31
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(%)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(%)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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