场效应晶体管
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101032031A

    公开(公告)日:2007-09-05

    申请号:CN200580033078.2

    申请日:2005-11-10

    Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管,该场效应晶体管具有有机半导体部分,并且通过提高所述有机半导体部分的驱动稳定性来减小因驱动导致的特性变化。所述场效应晶体管含有栅绝缘部分、有机半导体部分、以及源极和漏极,该场效应晶体管的特征在于,当在70℃下向栅施加使所述栅绝缘部分中的电场强度达到100±5MV/m的电压5.0±0.1小时时,阈值电压的变化在5V以内。

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