发明公开
- 专利标题： 场效应晶体管
- 专利标题（英）： Field effect transistor
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申请号： CN03817832.X申请日： 2003-07-31
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公开(公告)号： CN1672264A公开(公告)日： 2005-09-21
- 发明人: 小桥昌浩 , 半田敬信 , 荒牧晋司 , 酒井良正
- 申请人： 三菱化学株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 三菱化学株式会社
- 当前专利权人： 三菱化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张平元; 赵仁临
- 优先权： 223021/2002 2002.07.31 JP
- 国际申请： PCT/JP2003/009747 2003.07.31
- 国际公布： WO2004/012271 JA 2004.02.05
- 进入国家日期： 2005-01-25
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L51/00
摘要：
优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
公开/授权文献
- CN100594617C 场效应晶体管 公开/授权日：2010-03-17
IPC分类:
