公开(公告)号：CN102473843A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034416.5

申请日：2010-08-02

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 秋山诚治 ,  太田一司 ,  冈部未纱子 ,  大坪才华 ,  河井润也 ,  森竹美子 ,  新实高明 ,  尾込裕平 ,  横山孝理

IPC: H01L51/42 ,  C07F9/53 ,  C09D11/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07F9/5325 ,  C07F9/5728 ,  C07F9/58 ,  C07F9/60 ,  C07F9/65068 ,  C07F9/6512 ,  C07F9/6541 ,  C07F9/65517 ,  C07F9/65522 ,  C07F9/655345 ,  C07F9/655354 ,  C07F9/655372 ,  C07F9/65583 ,  C07F9/6561 ,  C09D11/52 ,  H01L51/005 ,  H01L51/4273 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种光电转换元件材料、使用该光电转换元件材料的光电转换元件、以及使用该光电转换元件的太阳能电池，所述光电转换元件材料作为太阳能电池的电极缓冲材料等，能够在保持与电极的相互作用和迁移率的同时，使耐久性得以提高。所述光电转换元件包含缓冲层和活性层，其中，缓冲层含有下述通式(I)表示的化合物，活性层含有n型半导体，该n型半导体于25℃在甲苯中的溶解度为0.5重量％以上、电子迁移率为1.0×10-6cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN104335333A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027933.3

申请日：2013-05-30

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 大坪才华 ,  荒牧晋司 ,  山崎正典 ,  山内律子 ,  武井出 ,  横山孝理 ,  佐藤佳晴

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4233 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/4273 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 一种含金属氧化物半导体层的制造方法，其特征在于，具有在基材上涂布含有由式(I)表示的不饱和羧酸金属盐的油墨的工序和在上述涂布后进行热处理的工序。(式(I)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子或任意的取代基，M为m价的金属原子，m为2～5的整数。m个CR1R2＝CR3－COO-可以相同也可以相互不同)。