公开(公告)号：CN104335333A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027933.3

申请日：2013-05-30

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 大坪才华 ,  荒牧晋司 ,  山崎正典 ,  山内律子 ,  武井出 ,  横山孝理 ,  佐藤佳晴

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4233 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/4273 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 一种含金属氧化物半导体层的制造方法，其特征在于，具有在基材上涂布含有由式(I)表示的不饱和羧酸金属盐的油墨的工序和在上述涂布后进行热处理的工序。(式(I)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子或任意的取代基，M为m价的金属原子，m为2～5的整数。m个CR1R2＝CR3－COO-可以相同也可以相互不同)。