公开(公告)号：CN102683565A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210162517.1

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN101606246A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN100524860C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680011218.0

申请日：2006-04-04

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 高野刚志 ,  城市隆秀 ,  冈川广明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的目的是提供一种包含n型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的新型电极的半导体元件。本发明的半导体元件具有n型氮化镓基化合物半导体和形成与所述半导体的欧姆接触的电极，其中所述电极具有将要与所述半导体接触的TiW合金层。根据优选实施例，上述电极也可以用作接触电极。根据优选实施例，上述电极具有优异的热阻。此外，还提出了所述半导体元件的生产方法。

公开(公告)号：CN101606246B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。