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发明授权
半导体元件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN100524860C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680011218.0

申请日：2006-04-04

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 高野刚志 , 城市隆秀 , 冈川广明

IPC: H01L33/00 , H01L21/285 , H01L21/28

Abstract: 本发明的目的是提供一种包含n型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的新型电极的半导体元件。本发明的半导体元件具有n型氮化镓基化合物半导体和形成与所述半导体的欧姆接触的电极，其中所述电极具有将要与所述半导体接触的TiW合金层。根据优选实施例，上述电极也可以用作接触电极。根据优选实施例，上述电极具有优异的热阻。此外，还提出了所述半导体元件的生产方法。

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