公开(公告)号：CN102683565A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210162517.1

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN101606246B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN101606246A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。