半导体光刻用共聚物、抗蚀剂组合物以及基板的制造方法

    公开(公告)号:CN105518041A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201480048455.9

    申请日:2014-09-03

    Abstract: 一种光刻用共聚物,其特征在于,其浊度Th(80)为1.0以上、4.6NTU以下,并且浊度Tm(80)为1.0以上、3.8NTU以下,该浊度Th(80)是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加正庚烷时使浊度成为10NTU的正庚烷添加量设为(X)h,该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,该浊度Th(80)是将该(X)h的80%的量的正庚烷添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度;该浊度Tm是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加甲醇时使浊度成为5.0NTU的甲醇添加量设为(X)m,该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,该光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,该浊度Tm是将该(X)m的80%的量的甲醇添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度。

    聚合物及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103619889B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201280026483.1

    申请日:2012-05-30

    Abstract: 本发明将向反应器内至少供应单体和链转移剂、且反应器内的液体温度达到预先设定的聚合温度的时刻作为开始时刻T0,将开始进行令聚合反应停止的操作的时刻作为结束时刻T1。在从T0至即将到达[(T1-T0)/2]之前期间以及在从[(T1-T0)/2]至T1期间,向反应器内供应聚合引发剂。将从T0至T1供应的聚合引发剂的总质量设为IA,从[(T1-T0)/2]至T1供应的聚合引发剂的总质量设为IB。IA是聚合引发剂的总量中的50~100质量%,通过满足0.50<IB/IA<1.00的制造方法,能以高聚合率制造在聚合物末端残存的链转移剂残基减少、分子量的偏差改善的聚合物。

    聚合物及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103619889A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201280026483.1

    申请日:2012-05-30

    Abstract: 本发明将向反应器内至少供应单体和链转移剂、且反应器内的液体温度达到预先设定的聚合温度的时刻作为开始时刻T0,将开始进行令聚合反应停止的操作的时刻作为结束时刻T1。在从T0至即将到达[(T1-T0)/2]之前期间以及在从[(T1-T0)/2]至T1期间,向反应器内供应聚合引发剂。将从T0至T1供应的聚合引发剂的总质量设为IA,从[(T1-T0)/2]至T1供应的聚合引发剂的总质量设为IB。IA是聚合引发剂的总量中的50~100质量%,通过满足0.50<IB/IA<1.00的制造方法,能以高聚合率制造在聚合物末端残存的链转移剂残基减少、分子量的偏差改善的聚合物。

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