公开(公告)号：CN1894779A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037163.1

申请日：2004-11-10

Applicant: 三益半导体工业株式会社

Inventor： 土屋正人 ,  小笠原俊一

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明是为提供一种板片式晶片处理装置，其在旋转处理中可以进行与公知的浸渍处理相同的浸渍处理，且对于每一片晶片的药液处理可以降低药液消耗量，并且可以利用药液的反应热而不须要加温用加热器，达到节省能源，再者由于将药液的调配藉由旋转圆板部加以实施并且在其后立即被使用，因此不会造成药液劣化的问题，并可利用到药液的最大效果点。本发明的装置包括：在上面形成介质流路的旋转圆板(12)；被设置于该旋转圆板上面的多个晶片承载部(18)；位于与承载于该晶片承载部的晶片(W)的外周缘部相比更外方，且上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地被设置在该旋转圆板的外周部的环状堤堰构件(48)；及被设置在承载于该晶片承载部的晶片的上方，且供给药液及清洗液的喷嘴机构(60a－d)。

公开(公告)号：CN119517786A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411101763.5

申请日：2024-08-12

Applicant: 三益半导体工业株式会社

Inventor： 小笠原俊一 ,  糸井悠贵

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02

Abstract: 提供一种能够维持晶片的表面处理所需的药液的流量的同时，防止在所述药液的供给停止时以及停止后所述药液从所述滴下喷嘴的前端滴液的滴液防止机构及滴液防止方法以及自旋处理装置。滴液防止机构包括：滴下喷嘴，其由耐药品性树脂构成，且具有由直筒部和与所述直筒部的下部连接的滴下开口部构成的直筒喷嘴体；药液供给装置，其在所述晶片的药液处理时，以药液处理时供给量向所述滴下喷嘴供给所述药液，在所述晶片的药液处理结束时，以药液结束时供给量供给所述药液；以及药液供给停止装置，其停止以所述药液结束时供给量供给的药液的供给，所述直筒喷嘴体以与所述晶片正交的方式设置，所述药液处理时供给量比所述药液结束时供给量大4倍以上。

公开(公告)号：CN100508133C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200480041470.7

申请日：2004-03-22

Applicant: 三益半导体工业株式会社

Inventor： 土屋正人 ,  小笠原俊一

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明提供一种即使各种条件的晶片，也可以实现蚀刻处理的蚀刻量的均匀化，并且可使蚀刻后的晶片间的厚度均匀的旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置。本发明首先在蚀刻处理前，以1/1000g单位来测定晶片的重量测定，接着，由旋转蚀刻部来进行规定的蚀刻处理。接着，在晶片的冲洗干燥处理后，再度进行1/1000g单位的重量测定，由晶片的蚀刻前后的差额重量来算出实际蚀刻量，每次确认蚀刻液的蚀刻速率，以控制蚀刻时间。

公开(公告)号：CN1914713A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200480041470.7

申请日：2004-03-22

Applicant: 三益半导体工业株式会社

Inventor： 土屋正人 ,  小笠原俊一

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明提供一种即使各种条件的晶片，也可以实现蚀刻处理的蚀刻量的均匀化，并且可使蚀刻后的晶片间的厚度均匀的旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置。本发明首先在蚀刻处理前，以1/1000g单位来测定晶片的重量测定，接着，由旋转蚀刻部来进行规定的蚀刻处理。接着，在晶片的冲洗干燥处理后，再度进行1/1000g单位的重量测定，由晶片的蚀刻前后的差额重量来算出实际蚀刻量，每次确认蚀刻液的蚀刻速率，以控制蚀刻时间。