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公开(公告)号：CN109075117B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201780023774.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 三益半导体工业株式会社
Inventor： 土屋正人
IPC: H01L21/683 , H01L21/306 , H01L21/31 , H02J50/12 , H01L21/312 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供能够对与晶圆旋转保持装置的旋转台连接的负载以非接触的方式进行电力供给的旋转台用非接触电力供给机构及方法、以及晶圆旋转保持装置。旋转台用非接触电力供给机构是晶圆旋转保持装置的旋转台用非接触电力供给机构，包括：旋转轴；载置于所述旋转轴的前端且在上表面上保持晶圆的旋转台；向所述旋转轴供给动力的驱动马达；卷绕在所述旋转轴的周围的固定侧初级线圈；与所述固定侧初级线圈连接的电力供给源；与所述固定侧初级线圈隔开规定距离地对应设置且安装在所述旋转台上的旋转台侧次级线圈；以及与所述旋转台侧次级线圈连接的负载，通过电磁感应，经由所述次级线圈向所述负载供给电力。
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公开(公告)号：CN109075117A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023774.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 三益半导体工业株式会社
Inventor： 土屋正人
IPC: H01L21/683 , H01L21/306 , H01L21/31 , H02J50/12 , H01L21/312 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供能够对与晶圆旋转保持装置的旋转台连接的负载以非接触的方式进行电力供给的旋转台用非接触电力供给机构及方法、以及晶圆旋转保持装置。旋转台用非接触电力供给机构是晶圆旋转保持装置的旋转台用非接触电力供给机构，包括：旋转轴；载置于所述旋转轴的前端且在上表面上保持晶圆的旋转台；向所述旋转轴供给动力的驱动马达；卷绕在所述旋转轴的周围的固定侧初级线圈；与所述固定侧初级线圈连接的电力供给源；与所述固定侧初级线圈隔开规定距离地对应设置且安装在所述旋转台上的旋转台侧次级线圈；以及与所述旋转台侧次级线圈连接的负载，通过电磁感应，经由所述次级线圈向所述负载供给电力。
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公开(公告)号：CN101019212B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200580030545.6
申请日：2005-10-26
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04 , C30B33/08
CPC classification number: C30B33/10 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率优越，可在半导体基板的表面形成均匀、所期望大小的适合于太阳电池的精细凹凸结构的安全、且低成本的半导体基板的制造方法，在面内均匀具有均匀且精细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板，形成具有均匀且精细的凹凸结构的半导体基板所使用的蚀刻液。使用含有选自由一分子中具有至少一个羧基的碳数1以上12以下的羧酸及其盐所构成的组中的至少一种的碱性蚀刻液，将半导体基板蚀刻，在该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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公开(公告)号：CN101432855A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015052.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 提供光电转换效率优良，蚀刻率及金字塔形状稳定，可于半导体基板的表面以期望的大小均匀形成适合太阳电池的微细凹凸结构，安全且低成本的半导体基板的制造方法；面内均匀具有均匀且微细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板；以及用以形成初期使用具有高稳定性且具有均匀且微细的凹凸结构的半导体基板为目的的蚀刻液。使用含有从在1分子中含有至少1个羧基的碳数1以上且12以下的羧酸及其盐所构成的群组所选择的至少1种及硅的碱性蚀刻液蚀刻半导体基板，于该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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公开(公告)号：CN101432855B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200780015052.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 提供光电转换效率优良，蚀刻率及金字塔形状稳定，可于半导体基板的表面以期望的大小均匀形成适合太阳电池的微细凹凸结构，安全且低成本的半导体基板的制造方法；面内均匀具有均匀且微细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板；以及用以形成初期使用具有高稳定性且具有均匀且微细的凹凸结构的半导体基板为目的的蚀刻液。使用含有从在1分子中含有至少1个羧基的碳数1以上且12以下的羧酸及其盐所构成的群组所选择的至少1种及硅的碱性蚀刻液蚀刻半导体基板，于该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101019212A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580030545.6
申请日：2005-10-26
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04 , C30B33/08
CPC classification number: C30B33/10 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率优越，可在半导体基板的表面形成均匀、所期望大小的适合于太阳电池的精细凹凸结构的安全、且低成本的半导体基板的制造方法，在面内均匀具有均匀且精细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板，形成具有均匀且精细的凹凸结构的半导体基板所使用的蚀刻液。使用含有选自由一分子中具有至少一个羧基的碳数1以上12以下的羧酸及其盐所构成的组中的至少一种的碱性蚀刻液，将半导体基板蚀刻，在该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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公开(公告)号：CN1894779A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037163.1
申请日：2004-11-10
Applicant: 三益半导体工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67028 , H01L21/6875
Abstract: 本发明是为提供一种板片式晶片处理装置，其在旋转处理中可以进行与公知的浸渍处理相同的浸渍处理，且对于每一片晶片的药液处理可以降低药液消耗量，并且可以利用药液的反应热而不须要加温用加热器，达到节省能源，再者由于将药液的调配藉由旋转圆板部加以实施并且在其后立即被使用，因此不会造成药液劣化的问题，并可利用到药液的最大效果点。本发明的装置包括：在上面形成介质流路的旋转圆板(12)；被设置于该旋转圆板上面的多个晶片承载部(18)；位于与承载于该晶片承载部的晶片(W)的外周缘部相比更外方，且上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地被设置在该旋转圆板的外周部的环状堤堰构件(48)；及被设置在承载于该晶片承载部的晶片的上方，且供给药液及清洗液的喷嘴机构(60a－d)。
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公开(公告)号：CN1695241A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03824698.8
申请日：2003-05-13
Applicant: 三益半导体工业株式会社
CPC classification number: B65H3/0816 , B65H3/48 , H01L21/67092 , H01L21/6838
Abstract: 本发明提供可以更为安全、简单并且可靠地将晶片分离并且能够提高进行晶片分离的处理速度的晶片分离方法、晶片分离装置及使用了该晶片分离装置的晶片分离机。在从该最上层的晶片的惯析线轴(A－A’、B－B’)绕顺时针或逆时针错开了角度15°～75°的轴向(L－L’)上，推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于与该惯析线轴错开了的轴向(L－L’)上的方式，使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起，同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。
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公开(公告)号：CN100508133C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480041470.7
申请日：2004-03-22
Applicant: 三益半导体工业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/30604
Abstract: 本发明提供一种即使各种条件的晶片，也可以实现蚀刻处理的蚀刻量的均匀化，并且可使蚀刻后的晶片间的厚度均匀的旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置。本发明首先在蚀刻处理前，以1/1000g单位来测定晶片的重量测定，接着，由旋转蚀刻部来进行规定的蚀刻处理。接着，在晶片的冲洗干燥处理后，再度进行1/1000g单位的重量测定，由晶片的蚀刻前后的差额重量来算出实际蚀刻量，每次确认蚀刻液的蚀刻速率，以控制蚀刻时间。
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公开(公告)号：CN100352031C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN03824698.8
申请日：2003-05-13
Applicant: 三益半导体工业株式会社
Abstract: 本发明提供可以更为安全、简单并且可靠地将晶片分离并且能够提高进行晶片分离的处理速度的晶片分离方法、晶片分离装置及使用了该晶片分离装置的晶片分离机。在从该最上层的晶片的惯析线轴(A-A’、B-B’)绕顺时针或逆时针错开了角度15°～75°的轴向(L-L’)上，推压该最上层的晶片，并且按照使该最上层的晶片的弯曲应力产生于与该惯析线轴错开了的轴向(L-L’)上的方式，使该最上层的晶片的周缘部向上方翘起，同时向该最上层的晶片的下面和相邻的下侧的晶片的上面之间吹入流体，并且使该最上层的晶片上升，从而将晶片分离。
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