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公开(公告)号：CN101432855B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200780015052.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 提供光电转换效率优良，蚀刻率及金字塔形状稳定，可于半导体基板的表面以期望的大小均匀形成适合太阳电池的微细凹凸结构，安全且低成本的半导体基板的制造方法；面内均匀具有均匀且微细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板；以及用以形成初期使用具有高稳定性且具有均匀且微细的凹凸结构的半导体基板为目的的蚀刻液。使用含有从在1分子中含有至少1个羧基的碳数1以上且12以下的羧酸及其盐所构成的群组所选择的至少1种及硅的碱性蚀刻液蚀刻半导体基板，于该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101019212A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580030545.6
申请日：2005-10-26
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04 , C30B33/08
CPC classification number: C30B33/10 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率优越，可在半导体基板的表面形成均匀、所期望大小的适合于太阳电池的精细凹凸结构的安全、且低成本的半导体基板的制造方法，在面内均匀具有均匀且精细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板，形成具有均匀且精细的凹凸结构的半导体基板所使用的蚀刻液。使用含有选自由一分子中具有至少一个羧基的碳数1以上12以下的羧酸及其盐所构成的组中的至少一种的碱性蚀刻液，将半导体基板蚀刻，在该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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公开(公告)号：CN101019212B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200580030545.6
申请日：2005-10-26
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04 , C30B33/08
CPC classification number: C30B33/10 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率优越，可在半导体基板的表面形成均匀、所期望大小的适合于太阳电池的精细凹凸结构的安全、且低成本的半导体基板的制造方法，在面内均匀具有均匀且精细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板，形成具有均匀且精细的凹凸结构的半导体基板所使用的蚀刻液。使用含有选自由一分子中具有至少一个羧基的碳数1以上12以下的羧酸及其盐所构成的组中的至少一种的碱性蚀刻液，将半导体基板蚀刻，在该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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公开(公告)号：CN101432855A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015052.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 三益半导体工业株式会社 , 日本宇宙能源株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 提供光电转换效率优良，蚀刻率及金字塔形状稳定，可于半导体基板的表面以期望的大小均匀形成适合太阳电池的微细凹凸结构，安全且低成本的半导体基板的制造方法；面内均匀具有均匀且微细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板；以及用以形成初期使用具有高稳定性且具有均匀且微细的凹凸结构的半导体基板为目的的蚀刻液。使用含有从在1分子中含有至少1个羧基的碳数1以上且12以下的羧酸及其盐所构成的群组所选择的至少1种及硅的碱性蚀刻液蚀刻半导体基板，于该半导体基板的表面形成凹凸结构。
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公开(公告)号：CN101061065A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200580039432.2
申请日：2005-11-30
Applicant: 日本宇宙能源株式会社 , 则武TCF有限公司
IPC: C01B33/02
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/002 , C30B11/003
Abstract: 本发明是提供一种利用常压氢环境溶融法，抑制硅熔液内的氧及杂质产生，同时使轻元素杂质反应或结晶除去，可育成晶体生长速度快且晶体粒子微细且晶体缺陷少的晶体结构的高纯度多晶硅晶棒，可廉价地制造提升与太阳能电池用晶片的转换效率相关的寿命特性的多晶硅晶棒的制造方法。在常压或加压条件下，在100％氢环境中熔化硅原料而形成硅熔液，同时在该硅熔液中溶解氢，使溶解有该氢的硅熔液凝固后，在凝固温度附近保持高温，使硅粒子固相晶体生长以得到多晶硅晶棒。
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公开(公告)号：CN101061065B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200580039432.2
申请日：2005-11-30
Applicant: 日本宇宙能源株式会社 , 则武TCF有限公司
IPC: C01B33/02
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/002 , C30B11/003
Abstract: 本发明是提供一种利用常压氢环境溶融法，抑制硅熔液内的氧及杂质产生，同时使轻元素杂质反应或结晶除去，可育成晶体生长速度快且晶体粒子微细且晶体缺陷少的晶体结构的高纯度多晶硅晶棒，可廉价地制造提升与太阳能电池用晶片的转换效率相关的寿命特性的多晶硅晶棒的制造方法。在常压或加压条件下，在100％氢环境中熔化硅原料而形成硅熔液，同时在该硅熔液中溶解氢，使溶解有该氢的硅熔液凝固后，在凝固温度附近保持高温，使硅粒子固相晶体生长以得到多晶硅晶棒。
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