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公开(公告)号:CN100426587C
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN02141537.4
申请日:2002-08-10
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋电子部品株式会社
CPC classification number: H01P7/04 , H01P1/2053 , H01P1/2136
Abstract: 构成本发明的介电体谐振装置的同轴介电体谐振器(2)具有:开设贯通孔(22)的介电体块(21);在介电体块(21)的外周面上形成的外导体层(24);在介电体块(21)的上述贯通孔(22)的内周面上形成的内导体层(23);在介电体块(21)的贯通孔(22)的开口一方端面上形成的使外导体层(24)和内导体层(23)彼此短路的短路导体层(25);在介电体块(21)的外周面上和上述外导体层(24)电气分离后形成的分离导体层(3)。分离导体层(3)通过开关接地,通过开关切换改变同轴介电体谐振器(2)的电容,改变谐振频率。
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公开(公告)号:CN1405922A
公开(公告)日:2003-03-26
申请号:CN02141537.4
申请日:2002-08-10
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋电子部品株式会社
CPC classification number: H01P7/04 , H01P1/2053 , H01P1/2136
Abstract: 构成本发明的介电体谐振装置的同轴介电体谐振器(2)具有:开设贯通孔(22)的介电体块(21);在介电体块(21)的外周面上形成的外导体层(24);在介电体块(21)的上述贯通孔(22)的内周面上形成的内导体层(23);在介电体块(21)的贯通孔(22)的开口一方端面上形成的使外导体层(24)和内导体层(23)彼此短路的短路导体层(25);在介电体块(21)的外周面上和上述外导体层(24)电气分离后形成的分离导体层(3)。分离导体层(3)通过开关接地,通过开关切换改变同轴介电体谐振器(2)的电容,改变谐振频率。
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