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公开(公告)号：CN106374059A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610576640.6
申请日：2016-07-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供具备电流阻断机构的可靠性高的二次电池。正极板经由正极集电体(6)、变形板在电池内压成为规定值以上时，变形板(21)向封口板(3)侧变形，设置于正极集电体(6)的基体部(6a)的环状的槽部(6x)随着该变形而破裂，由此正极板与正极端子(7)之间的导电路径被切断。配置于变形板(21)与正极集电体(6)的基体部(6a)之间的第1绝缘构件(22)在卷绕电极体1侧的面的、正极集电体(6)的基体部(6a)的外周缘的外侧具备第1防转动突起(30a)。(21)以及导电构件(20)与正极端子(7)电连接。
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公开(公告)号：CN106328843A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610461534.3
申请日：2016-06-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M2/10
CPC classification number: H01M2/028 , H01M2/0275 , H01M2/06 , H01M10/0525 , H01M10/0587 , H01M2/1072
Abstract: 本发明提供一种提高了生产性的二次电池。具有正极板和负极板的卷绕电极体(1)与非水电解质被共同收纳于具有开口的角形外装体(2)，角形外装体(2)的开口被金属制的封口板(3)封口。卷绕电极体(1)在除了封口板(3)一侧的外表面以外的外表面被绝缘片(14)覆盖的状态下被收纳于角形外装体(2)。被配置于卷绕电极体(1)与角形外装体(2)之间的绝缘片(14)的至少一面的算术平均粗糙度(Sa)为0.3μm以上。
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公开(公告)号：CN113258215B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202110537086.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M50/474 , H01M50/103 , H01M10/0525 , H01M10/0587
Abstract: 本发明提供一种提高了生产性的二次电池。具有正极板和负极板的卷绕电极体(1)与非水电解质被共同收纳于具有开口的角形外装体(2)，角形外装体(2)的开口被金属制的封口板(3)封口。卷绕电极体(1)在除了封口板(3)一侧的外表面以外的外表面被绝缘片(14)覆盖的状态下被收纳于角形外装体(2)。被配置于卷绕电极体(1)与角形外装体(2)之间的绝缘片(14)的至少一面的算术平均粗糙度(Sa)为0.3μm以上。
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公开(公告)号：CN106328843B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201610461534.3
申请日：2016-06-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M50/121 , H01M50/131 , H01M10/0525 , H01M10/0587
Abstract: 本发明提供一种提高了生产性的二次电池。具有正极板和负极板的卷绕电极体(1)与非水电解质被共同收纳于具有开口的角形外装体(2)，角形外装体(2)的开口被金属制的封口板(3)封口。卷绕电极体(1)在除了封口板(3)一侧的外表面以外的外表面被绝缘片(14)覆盖的状态下被收纳于角形外装体(2)。被配置于卷绕电极体(1)与角形外装体(2)之间的绝缘片(14)的至少一面的算术平均粗糙度(Sa)为0.3μm以上。
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公开(公告)号：CN106374059B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610576640.6
申请日：2016-07-20
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供具备电流阻断机构的可靠性高的二次电池。正极板经由正极集电体(6)、变形板(21)以及导电构件(20)与正极端子(7)电连接。在电池内压成为规定值以上时，变形板(21)向封口板(3)侧变形，设置于正极集电体(6)的基体部(6a)的环状的槽部(6x)随着该变形而破裂，由此正极板与正极端子(7)之间的导电路径被切断。配置于变形板(21)与正极集电体(6)的基体部(6a)之间的第1绝缘构件(22)在卷绕电极体1侧的面的、正极集电体(6)的基体部(6a)的外周缘的外侧具备第1防转动突起(30a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107808982A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710777058.0
申请日：2017-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M10/058
CPC classification number: H01M2/345 , H01M2/0217 , H01M2/0237 , H01M2/305 , H01M2200/20 , H01M10/058
Abstract: 提供电流阻断机构正常工作的二次电池。本发明的电池具备：电池壳体；包含正极和负极的电极体；正极及负极集电体；封口体；外部端子；在封口体与电极体之间与外部端子电连接且具有筒状部的导电构件；变形板，将筒状部的开口密闭，与导电构件和集电体电连接，在电池壳体内压力成为给定值时变形来断开与集电体的电连接；第1绝缘构件，位于变形板与集电体之间，被支承在封口体一侧，集电体具有与第1绝缘构件对置的基体部和与电极体连接的引线部，将基体部和第1绝缘构件固定的固定部设置于第1绝缘构件，固定部比第1绝缘构件的封口体侧的支承位置更靠近变形板与集电体的连接部，在第1绝缘构件的电极体侧的面的外周缘部设置向电极体侧突出并沿着基体部外周缘延伸的肋。
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公开(公告)号：CN106374078A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610576685.3
申请日：2016-07-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M2/34
Abstract: 本发明提供具备电流阻断机构的可靠性高的二次电池。具有导电构件开口部(20d)的导电构件(20)与正极端子(7)连接，与外部侧绝缘构件(11)以及第2绝缘构件(10)一起被一体地固定在封口板(3)。导电构件开口部(20d)被变形板基体部(6a)。配置于变形板(21)与正极集电体(6)的基体部(6a)之间的第1绝缘构件(22)具有在封口板(3)的长边方向上并排配置的一对第1钩挂部(26a)以及在封口板(3)的短边方向上并排配置的一对第2钩挂部(26b)，第1钩挂部(26a)以及第2钩挂部(26b)分别与配置于封口板(3)与导电构件(20)之间的第2绝缘构件(10)连接。(21)密封，在变形板(21)连接正极集电体(6)的
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公开(公告)号：CN111490218B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201911362100.8
申请日：2019-12-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M50/528 , H01M10/0585 , B23K20/10
Abstract: 提供一种在将芯体与集电体接合时抑制了集电体的变形的二次电池的制造方法。该二次电池具备：具有正极板和负极板的电极体；以及与正极板连接的正极集电体(6)，正极板具有正极芯体和形成在正极芯体上的正极活性物质层，电极体具备将正极芯体层叠而成的正极芯体层叠部(40)，该二次电池的制造方法具有：电极体制作工序，制作具有正极芯体层叠部(40)的电极体；以及超声波接合工序，将正极集电体(6)与正极芯体层叠部(40)超声波接合，在超声波接合工序中，正极集电体(6)具有厚度比周围的厚度薄的薄壁部(6e)，利用焊头(90)和砧座(91)夹住薄壁部(6e)和正极芯体层叠部(40)，对薄壁部(6e)和正极芯体层叠部(40)进行超声波接合。
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公开(公告)号：CN107808982B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201710777058.0
申请日：2017-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M10/058
Abstract: 提供电流阻断机构正常工作的二次电池。本发明的电池具备：电池壳体；包含正极和负极的电极体；正极及负极集电体；封口体；外部端子；在封口体与电极体之间与外部端子电连接且具有筒状部的导电构件；变形板，将筒状部的开口密闭，与导电构件和集电体电连接，在电池壳体内压力成为给定值时变形来断开与集电体的电连接；第1绝缘构件，位于变形板与集电体之间，被支承在封口体一侧，集电体具有与第1绝缘构件对置的基体部和与电极体连接的引线部，将基体部和第1绝缘构件固定的固定部设置于第1绝缘构件，固定部比第1绝缘构件的封口体侧的支承位置更靠近变形板与集电体的连接部，在第1绝缘构件的电极体侧的面的外周缘部设置向电极体侧突出并沿着基体部外周缘延伸的肋。
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公开(公告)号：CN113258215A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110537086.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01M50/474 , H01M50/103 , H01M10/0525 , H01M10/0587
Abstract: 本发明提供一种提高了生产性的二次电池。具有正极板和负极板的卷绕电极体(1)与非水电解质被共同收纳于具有开口的角形外装体(2)，角形外装体(2)的开口被金属制的封口板(3)封口。卷绕电极体(1)在除了封口板(3)一侧的外表面以外的外表面被绝缘片(14)覆盖的状态下被收纳于角形外装体(2)。被配置于卷绕电极体(1)与角形外装体(2)之间的绝缘片(14)的至少一面的算术平均粗糙度(Sa)为0.3μm以上。
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