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公开(公告)号：CN1976386A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610149254.5
申请日：2006-11-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04N3/15 , H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14887 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H04N5/361 , H04N5/37213
Abstract: 一种固体摄像元件的驱动方法和摄像装置。在曝光期间使电位阱在CCD映像传感器的受光像素内移动的摄像装置中，抑制图像浮散的产生。CCD映像传感器具有根据基板电压Vsub从电荷转送沟道区域排出不需要的信息电荷的纵型溢出漏极构造。在曝光期间内，对各个像素各自的多个转送电极中施加导通电压的电极进行切换，使信息电荷的蓄积位置与电位阱一同在各个像素内移动。在电位阱移动之前，对基板施加比通常时的基准直流电压VSL高的排出电压VSH的脉冲(70)，将蓄积在电位阱中的信息电荷中超过了规定的上限量的部分排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1245827C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200310101413.0
申请日：2003-10-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , Y10S257/912
Abstract: 本发明涉及固体摄像元件及其制造方法，在采用纵型排泄的CCD固体摄像元件中，抑制由输出放大器的电源电压的下降引起的电荷的漏出。利用三次杂质的注入工序，形成设置在N型硅衬底2的背面的N型杂质层6和表面的N阱4或N+扩散层之间的P阱，使杂质浓度互相不同，形成摄像部及蓄积部下面的P阱、水平传输部下面的P阱10、以及输出部下面的P阱60。配置在输出部下面的P阱60的P型杂质的浓度形成得比其他区域的P阱10的高。
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公开(公告)号：CN1497957A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101413.0
申请日：2003-10-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , Y10S257/912
Abstract: 本发明涉及固体摄像元件及其制造方法，在采用纵型排泄的CCD固体摄像元件中，抑制由输出放大器的电源电压的下降引起的电荷的漏出。利用三次杂质的注入工序，形成设置在N型硅衬底2的背面的N型杂质层6和表面的N阱4或N+扩散层之间的P阱，使杂质浓度互相不同，形成摄像部及蓄积部下面的P阱、水平传输部下面的P阱10、以及输出部下面的P阱60。配置在输出部下面的P阱60的P型杂质的浓度形成得比其他区域的P阱10的高。
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公开(公告)号：CN100353753C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200510009054.5
申请日：2005-02-17
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/3725 , H04N5/347
Abstract: 本发明提供一种可实现高图像质量的摄像装置。通过下述摄像装置(200)来实现上述问题：该摄像装置包含摄像部(2i)，其具有各像素沿与信息电荷的传送方向相交的方向延伸的多个传送电极，利用通过传送电极的作用形成的电势阱来存储和传送响应于入射到像素中的光而产生的信息电荷，在摄像时，将信息电荷存储到实质上彼此分离的多个电势阱中，在传送时，相加合成在多个电势阱中的至少两个中存储的信息电荷而进行传送。
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公开(公告)号：CN101064790A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710096771.5
申请日：2007-04-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/146
CPC classification number: G11C27/04
Abstract: CCD图像传感器的水平CCD移位寄存器中，在将水平方向的多个像素的信息电荷相加的动作或高速的水平传输动作中，沿水平方向位于相邻位置并与不同颜色对应的信息电荷混合而发生混色。一种固体摄像元件，将形成构成水平CCD移位寄存器的各传输段的存储区域和势垒区域中沟道电位浅的势垒区域用的杂质的浓度，按照在与垂直CCD移位寄存器的输出端连接的传输段所构成的主体部、和连接主体部与输出部之间且宽度向输出部依次变窄而形成的虚拟部来个别地确定，并分别设定势垒电位。在主体部中将势垒电位设定得高，来抑制相加动作时信息电荷向相邻阱溢出。在传输长度设定得长的虚拟部，抑制势垒电位，增大边缘电场，确保高速水平传输时的传输效率。
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公开(公告)号：CN1665280A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510009054.5
申请日：2005-02-17
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/3725 , H04N5/347
Abstract: 本发明提供一种可实现高图像质量的摄像装置。通过下述摄像装置(200)来实现上述问题：该摄像装置包含摄像部(2i)，其具有各像素沿与信息电荷的传送方向相交的方向延伸的多个传送电极，利用通过传送电极的作用形成的电势阱来存储和传送响应于入射到像素中的光而产生的信息电荷，在摄像时，将信息电荷存储到实质上彼此分离的多个电势阱中，在传送时，相加合成在多个电势阱中的至少两个中存储的信息电荷而进行传送。
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