-
公开(公告)号：CN1305138C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410082581.4
申请日：2004-09-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0826 , H01L21/8224 , H01L27/0821
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置。在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区域(29)。由此，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，实际上，在施加电源电位的N型的埋入扩散区域(29)中区分衬底(4)和第一外延层(5)。其结果，可以防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，并防止小信号部(2)的误动作。
-
公开(公告)号：CN1604329A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410082581.4
申请日：2004-09-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0826 , H01L21/8224 , H01L27/0821
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置。在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区域(29)。由此，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，实际上，在施加电源电位的N型的埋入扩散区域(29)中区分衬底(4)和第一外延层(5)。其结果，可以防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，并防止小信号部(2)的误动作。
-
公开(公告)号：CN1324709C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410082525.0
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0821 , H01L27/0647
Abstract: 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在第二岛区(9)配置二极管(3)。二极管(3)的阳极区和横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)电连接，二极管(3)的阴极区和功率NPN晶体管(4)的集电极区电连接。由此，横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)与其他岛区的分离区相比为低电位，可以防止流入自由载流子(电子)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1604327A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410082521.2
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8224 , H01L27/0821 , H01L29/7322
Abstract: 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的第一以及第二岛区(7、8)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区(27)。而且，N型的埋入扩散区(27)与被施加了电源电位的N型的扩散区(25、26)连结。由此，在构成小信号部(2)的区域(7、8)中，由被施加了电源电位的N型的埋入扩散区(27)来区分衬底(4)和外延层(5)。其结果，可防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，可以防止小信号部(2)的误动作。
-
公开(公告)号：CN101026191A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084951.1
申请日：2007-02-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0878 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/404 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明涉及一种高耐压MOS晶体管，其具有300V左右的高的源极－漏极耐压Bvds，并且具有低的接通电阻。形成有从源极层(55)侧向栅极电极(54)下方延伸的N型体层(63)。形成有比第一漂移层(65)更深地扩散到外延半导体层(51)中，并从第一漂移层(65)的下方向栅极电极(54)的下方延伸，在该栅极电极(54)的下方与体层(63)形成PN结的P型第二漂移层(64)。该第二漂移层(64)和源极层(55)之间的体层(63)的表面成为沟道区域(CH2)。第一漂移层(65)形成为从容易产生电场集中的栅极电极(54)的左端部(E1)离开。
-
公开(公告)号：CN1309080C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410082521.2
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8224 , H01L27/0821 , H01L29/7322
Abstract: 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的第一以及第二岛区(7、8)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区(27)。而且，N型的埋入扩散区(27)与被施加了电源电位的N型的扩散区(25、26)连结。由此，在构成小信号部(2)的区域(7、8)中，由被施加了电源电位的N型的埋入扩散区(27)来区分衬底(4)和外延层(5)。其结果，可防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，可以防止小信号部(2)的误动作。
-
公开(公告)号：CN100533769C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710084951.1
申请日：2007-02-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0878 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/404 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明涉及一种高耐压MOS晶体管，其具有300V左右的高的源极-漏极耐压Bvds，并且具有低的接通电阻。形成有从源极层(55)侧向栅极电极(54)下方延伸的N型体层(63)。形成有比第一漂移层(65)更深地扩散到外延半导体层(51)中，并从第一漂移层(65)的下方向栅极电极(54)的下方延伸，在该栅极电极(54)的下方与体层(63)形成PN结的P型第二漂移层(64)。该第二漂移层(64)和源极层(55)之间的体层(63)的表面成为沟道区域(CH2)。第一漂移层(65)形成为从容易产生电场集中的栅极电极(54)的左端部(E1)离开。
-
公开(公告)号：CN1604328A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410082525.0
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0821 , H01L27/0647
Abstract: 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在第二岛区(9)配置二极管(3)。二极管(3)的阳极区和横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)电连接，二极管(3)的阴极区和功率NPN晶体管(4)的集电极区电连接。由此，横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)与其他岛区的分离区相比为低电位，可以防止流入自由载流子(电子)。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.024 seconds)
