公开(公告)号：CN1427516A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02140616.2

申请日：1997-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 林伸彦 ,  井手大辅 ,  茨木晃

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/3432

Abstract: 一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。

公开(公告)号：CN1702878A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073455.7

申请日：2005-05-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曽谷直哉 ,  长谷川勋 ,  井手大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件。构成多个半导体元件的半导体层在具有双晶面的同时，双晶面形成为沿流过沟道区域的载流子不容易横切双晶面的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN1197980A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98105587.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森和思 ,  田尻敦志 ,  井上泰明 ,  后藤壮谦 ,  泽田稔 ,  茨木晃 ,  井手大辅

IPC: G11B7/12 ,  G11B17/00

CPC classification number: G11B7/1353 ,  G11B7/0903 ,  G11B7/094

Abstract: 本发明揭示一种光读出装置及光学记录媒体驱动装置。3分割用衍射光栅的衍射光栅面在±1次衍射方向上衍射自半导体激光元件出射的激光;衍射光栅面被形成矩形形状或椭圆形状,其大小被形成为,使±1次衍射光束在聚光透镜上形成的光点即使聚光透镜由于循迹动作而在水平方向上移动时,也不超出聚光透镜的孔径;根据本发明另一方面的3分割用衍射光栅的衍射光栅面,其宽度比在±1次方向上衍射的激光中入射到聚光透镜的衍射光束所对应的3分割用衍射光栅上的光点的重复区域的宽度还要小。

公开(公告)号：CN1169047A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN97109946.4

申请日：1997-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 林伸彦 ,  井手大辅 ,  茨木晃

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/3432

Abstract: 一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的Al的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。

公开(公告)号：CN102132420A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132764.3

申请日：2009-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井手大辅 ,  坂田仁

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52

Abstract: 太阳能电池模块(100)包括光反射件(12)，其配置在n型半导体基板(11)的受光面上、具有与受光面侧保护件(2)相对的光反射面(12A)。光反射件(12)隔着n型半导体基板(11)位于n侧连接用电极(14n)的相反侧。

公开(公告)号：CN100521203C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510135057.3

申请日：2005-12-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野口幸宏 ,  松本昭一郎 ,  曾谷直哉 ,  井手大辅 ,  小林康孝 ,  石塚良行 ,  长谷川勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种显示装置，可抑制晶体管的动作因遮光膜的电位变动而不稳定，并且，抑制产生动作缺陷。该显示装置具备：包含第一晶体管的第一区域；第一遮光膜，设置在第一区域中，同时，配置于对应于第一晶体管的区域中，被提供第一电位；包含第二晶体管的第二区域；和第二遮光膜，设置在第二区域中，同时，配置于对应于第二晶体管的区域中，被提供第二电位。

公开(公告)号：CN1133995C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN98105587.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森和思 ,  田尻敦志 ,  井上泰明 ,  後藤壮谦 ,  泽田稔 ,  茨木晃 ,  井手大辅

IPC: G11B7/12 ,  G11B17/00

CPC classification number: G11B7/1353 ,  G11B7/0903 ,  G11B7/094

Abstract: 本发明揭示一种光读出装置及光学记录媒体驱动装置。3分割用衍射光栅的衍射光栅面在±1次衍射方向上衍射自半导体激光元件出射的激光；衍射光栅面被形成矩形形状或椭圆形状，其大小被形成为，使±1次衍射光束在聚光透镜上形成的光点即使聚光透镜由于循迹动作而在水平方向上移动时，也不超出聚光透镜的孔径；根据本发明另一方面的3分割用衍射光栅的衍射光栅面，其宽度比在±1次方向上衍射的激光中入射到聚光透镜的衍射光束所对应的3分割用衍射光栅上的光点的重复区域的宽度还要小。

公开(公告)号：CN100448030C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510073455.7

申请日：2005-05-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曽谷直哉 ,  长谷川勋 ,  井手大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件。构成多个半导体元件的半导体层在具有双晶面的同时，双晶面形成为沿流过沟道区域的载流子不容易横切双晶面的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN1819195A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510135057.3

申请日：2005-12-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野口幸宏 ,  松本昭一郎 ,  曾谷直哉 ,  井手大辅 ,  小林康孝 ,  石塚良行 ,  长谷川勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种显示装置，可抑制晶体管的动作因遮光膜的电位变动而不稳定，并且，抑制产生动作缺陷。该显示装置具备：包含第一晶体管的第一区域；第一遮光膜，设置在第一区域中，同时，配置于对应于第一晶体管的区域中，被提供第一电位；包含第二晶体管的第二区域；和第二遮光膜，设置在第二区域中，同时，配置于对应于第二晶体管的区域中，被提供第二电位。

公开(公告)号：CN1434428A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02159777.4

申请日：2002-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浜田弘喜 ,  铃木浩司 ,  井手大辅

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L27/3279 ,  H01L51/529

Abstract: 在玻璃构成的绝缘基材上，按照从底部到顶部的顺序，叠加由钼薄膜构成的第一钼层、由铝－钕合金薄膜构成的铝导电层、由钼薄膜构成的第二钼层以及二氧化硅构成的绝缘薄膜层。