公开(公告)号：CN100448030C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510073455.7

申请日：2005-05-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曽谷直哉 ,  长谷川勋 ,  井手大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件。构成多个半导体元件的半导体层在具有双晶面的同时，双晶面形成为沿流过沟道区域的载流子不容易横切双晶面的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN1819195A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510135057.3

申请日：2005-12-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野口幸宏 ,  松本昭一郎 ,  曾谷直哉 ,  井手大辅 ,  小林康孝 ,  石塚良行 ,  长谷川勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种显示装置，可抑制晶体管的动作因遮光膜的电位变动而不稳定，并且，抑制产生动作缺陷。该显示装置具备：包含第一晶体管的第一区域；第一遮光膜，设置在第一区域中，同时，配置于对应于第一晶体管的区域中，被提供第一电位；包含第二晶体管的第二区域；和第二遮光膜，设置在第二区域中，同时，配置于对应于第二晶体管的区域中，被提供第二电位。

公开(公告)号：CN100521203C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510135057.3

申请日：2005-12-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野口幸宏 ,  松本昭一郎 ,  曾谷直哉 ,  井手大辅 ,  小林康孝 ,  石塚良行 ,  长谷川勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种显示装置，可抑制晶体管的动作因遮光膜的电位变动而不稳定，并且，抑制产生动作缺陷。该显示装置具备：包含第一晶体管的第一区域；第一遮光膜，设置在第一区域中，同时，配置于对应于第一晶体管的区域中，被提供第一电位；包含第二晶体管的第二区域；和第二遮光膜，设置在第二区域中，同时，配置于对应于第二晶体管的区域中，被提供第二电位。

公开(公告)号：CN1489181A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03159407.7

申请日：2003-09-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 长谷川勋 ,  曾谷直哉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供可不对硅层进行构图、以硅层溶融状态抑制结块的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括使与溶融硅的接触角为45°以下的第1膜的上面及下面的至少一方相接触地形成硅层的工序，在通过用连续振荡电磁波加热硅层溶融之后进行硅层的结晶化工序。

公开(公告)号：CN1487568A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03159403.4

申请日：2003-09-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曾谷直哉 ,  长谷川勋

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/12 ,  B23K26/123 ,  B23K26/127 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明提供能够力图使设置在光纤出口的透镜组小型化、并得到半导体层晶化或杂质活化等所必需的高密度激光的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有从产生近红外激光振荡的激光振荡器至照射光学系统用具有单一纤芯的光纤连接的工序、以及通过从照射光学系统照射近红外激光来加热半导体层的工序。

公开(公告)号：CN100339958C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN03159403.4

申请日：2003-09-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曾谷直哉 ,  长谷川勋

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/12 ,  B23K26/123 ,  B23K26/127 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明提供能够力图使设置在光纤出口的透镜组小型化、并得到半导体层晶化或杂质活化等所必需的高密度激光的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有从产生近红外激光振荡的激光振荡器至照射光学系统用具有单一纤芯的光纤连接的工序、以及通过从照射光学系统照射近红外激光来加热半导体层的工序。

公开(公告)号：CN1443025A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN03107100.7

申请日：2003-03-05

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 阿部寿 ,  铃木浩司 ,  长谷川勋

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/5253

Abstract: 对一设置在有机EL层下面的第二平面化绝缘层进行热处理，从而使其中的湿气含量降到一极低的程度。通过将这种湿气含量降低到77ng/cm3或以下，就可制成其发光特性退化率为最小的有机EL板。作为降低湿气含量对有机EL层的不利作用的另一方法，可对第二平面化绝缘层进行改造处理或涂覆处理。

公开(公告)号：CN1317778C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN03107100.7

申请日：2003-03-05

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 阿部寿 ,  铃木浩司 ,  长谷川勋

IPC: H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/5253

Abstract: 对一设置在有机EL层下面的第二平面化绝缘层进行热处理，从而使其中的湿气含量降到一极低的程度。通过将这种湿气含量降低到77ng/cm3或以下，就可制成其发光特性退化率为最小的有机EL板。作为降低湿气含量对有机EL层的不利作用的另一方法，可对第二平面化绝缘层进行改造处理或涂覆处理。

公开(公告)号：CN1702878A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073455.7

申请日：2005-05-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曽谷直哉 ,  长谷川勋 ,  井手大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件。构成多个半导体元件的半导体层在具有双晶面的同时，双晶面形成为沿流过沟道区域的载流子不容易横切双晶面的第二方向延伸。