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公开(公告)号:CN1818128A
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN200610008964.6
申请日:2006-01-21
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 池昶恂
IPC: C23C14/26
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/564
Abstract: 一种支撑加热坩埚的装置,包括支撑台和防污盘,支撑台的上表面形成有许多孔洞,防污盘分布于支撑台的各个孔洞入口处,并且具有相对于孔洞的开放部分以及沿孔洞内壁延伸的遮蔽部分。
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公开(公告)号:CN100402693C
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN03133181.5
申请日:2003-07-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/12 , C23C14/243
Abstract: 一种沉积装置,包括真空腔和加热坩埚。其上将形成沉积膜的衬底安装在真空腔内。加热坩埚安装成与衬底相对以使有机化合物汽化。加热坩埚包括主体和内板。主体包括可容纳有机化合物的空间和通过其可排放汽化的有机化合物的喷嘴。内板安装在主体内,包括形成于朝向喷嘴的区域边缘周围的一个或多个开口,以便传送此汽化的有机化合物。
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