公开(公告)号：CN1434080A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02108487.4

申请日：2002-02-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李尚旻 ,  李知爰 ,  徐康一 ,  崔在万

IPC: C09D5/00 ,  H01J19/57

CPC classification number: H01J5/08 ,  H01B1/10 ,  H01J2229/8632 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供透明导电层和使用透明导电层的图像显示设备。透明导电层包括含金属氧化物的导电层和在导电层上形成的保护层。保护层包含烷氧基硅的水解和缩聚产物，和巯基化合物及它的水解和缩聚产物的至少一种。

公开(公告)号：CN1776932A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510126771.6

申请日：2005-11-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  李尚旻

IPC: H01L51/30 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/002

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机电致发光显示器。该有机电致发光显示器包括：栅极；与栅极绝缘的源、漏极；与栅极绝缘并且与源、漏极电连接的有机半导体层；使栅极和源、漏极或有机半导体层绝缘的绝缘层；以及电子提取层，该电子提取层包括位于有机半导体层和源、漏极之间的路易斯酸化合物。电荷可以很容易堆积，从而在半导体层上产生了沟道掺杂效应，因而防止能量势垒形成并且提高了注入到沟道中的载流子的数量。结果是，得到了接触电阻低、注入载流子数量大、电荷迁移率好的TFT。因此，包括上述TFT的平板显示器可靠性高并且功耗低。

公开(公告)号：CN1707812A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510081791.6

申请日：2005-06-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 杨南喆 ,  金慧东 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  李尚旻

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/20 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0541

Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)，其包括：栅极；均与栅极绝缘的源极和漏极；及适于与源极和漏极均接触的有机半导体层，该有机半导体层与栅极绝缘；其中该有机半导体层包括其粒径比有机半导体层其他部分粒径小的边界区，该边界区包围有机半导体层的至少一个沟道区以及源和漏区。

公开(公告)号：CN1329458C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN02108487.4

申请日：2002-02-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李尚旻 ,  李知爰 ,  徐康一 ,  崔在万

IPC: C09D5/00 ,  H01J19/57

CPC classification number: H01J5/08 ,  H01B1/10 ,  H01J2229/8632 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供透明导电层和使用透明导电层的图像显示设备。透明导电层包括含金属氧化物的导电层和在导电层上形成的保护层。保护层包含烷氧基硅的水解和缩聚产物，和巯基化合物及它的水解和缩聚产物的至少一种。

公开(公告)号：CN1763865A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510098118.3

申请日：2005-08-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文东建 ,  李尚旻 ,  沈勉基 ,  车准圭 ,  林翼喆

IPC: G12B17/02 ,  H05K9/00 ,  H01J17/02 ,  G09F9/313

CPC classification number: B32B27/00 ,  B32B7/12 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B23/08 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/204 ,  H01J11/12 ,  H01J11/44 ,  H01J2211/446 ,  H05K9/0096 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明提供一种电磁干扰(EMI)屏蔽膜和包含该电磁干扰屏蔽膜的等离子体显示器。电磁干扰屏蔽膜包括：形成于透明基板上的粘附层；形成于粘附层上的金属花纹；透明选择性光吸收层，其包含透明材料和作为选择性光吸收材料的四氮杂卟啉化合物，并填充粘附层上金属花纹的空隙。电磁干扰屏蔽膜提供改进的色域，对比度，和热稳定性。因为电磁干扰屏蔽膜能屏蔽电磁干扰和提高色域，所以在制备滤光器中，粘合过程和其它附加过程的数目就可以减少。此外，电磁干扰屏蔽膜可以直接并很容易连接于等离子体显示器的面板上。

公开(公告)号：CN1819299A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510135849.0

申请日：2005-12-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 杨南喆 ,  金慧东 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  李尚旻 ,  李宪贞

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32 ,  H01L51/40 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0015 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0512

Abstract: 披露一种提供与半导体层形成图案相同的结果的具有转变区域的薄膜晶体管、一种具有薄膜晶体管的平板显示器和一种用于制造薄膜晶体管和平板显示器的方法。薄膜结构包括门电极；源电极和漏电极，每个电极与门电极隔离；以及连接到源电极和漏电极上的有机半导体层。有机半导体层包括具有不同于沟道区周围的晶体结构的晶体结构的转变区域。