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公开(公告)号：CN1893108B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610105419.9
申请日：2006-07-06
申请人： 三星移动显示器株式会社
摘要： 本发明公开了一种包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的平板显示装置。该平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成在源极和漏极以及像素电极上方的绝缘层，该绝缘层具有开口；形成在绝缘层上方的栅极；以及通过绝缘层的开口部分显露的像素电极，其中该像素电极直接形成在衬底上，且直接连接到源极和漏极之一或者从源极和漏极之一延伸。绝缘层作为栅极绝缘层和界定像素电极的像素界定层。
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公开(公告)号：CN102646695A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110461314.8
申请日：2011-12-30
申请人： 三星移动显示器株式会社
发明人： 朴容佑
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/1225 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L29/78633
摘要： 本发明公开了有机电致发光显示装置及其制造方法。有机电致发光显示装置包括：基板，包括像素区域以及晶体管区域；透明电极，形成于所述基板的像素区域以及晶体管区域上；栅电极，形成于所述透明电极的上部；栅绝缘膜，形成于所述栅电极的上部；半导体层，形成于所述栅绝缘膜的上部；源/漏电极，一端与所述半导体层连接，另一端与所述像素区域的透明电极连接；像素限定膜，覆盖所述源/漏电极的上部，形成有开口部以向外部露出所述透明电极，从而限定所述像素区域；光阻断层，以与所述像素限定膜相同的图案形成于所述像素限定膜的上部；以及有机发光层，在所述开口部形成于所述透明电极的上部。
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公开(公告)号：CN102386204A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110039271.4
申请日：2011-02-15
申请人： 三星移动显示器株式会社
发明人： 朴容佑
CPC分类号： H01L27/3272 , H01L27/3246 , H01L27/3248
摘要： 本发明的目的提供一种通过防止外部光或内部光入射至薄膜晶体管的活性层，来提高活性层的稳定性的有机发光显示装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1870316B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200610089815.7
申请日：2006-05-24
申请人： 三星移动显示器株式会社
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0516 , H01L27/3244 , H01L51/0002 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0053 , H01L51/0096 , H01L51/052 , H01L51/0525 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
摘要： 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造这样的OTFT的方法、和包括这样的OTFT的有机电致发光(EL)显示器。所述OTFT具有由于使用氟基气体表面处理对应于沟道区的基底的部分以稳定沟道区而改善了的特性。所述方法包括：处理基底表面的预定部分；在未被表面处理的基底的部分上形成源电极和漏电极；形成半导体层以接触所述基底的表面处理过的部分；在所述基底上形成栅绝缘层；并且在所述栅绝缘层上形成栅极。所述基底使用例如CF4或C3F8的氟基气体进行等离子体表面处理。
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公开(公告)号：CN102163617A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110039435.3
申请日：2011-02-15
申请人： 三星移动显示器株式会社
发明人： 朴容佑
CPC分类号： H01L27/3246
摘要： 包括像素限定层和隔离物的有机发光显示设备及其制造方法。所述方法包括：在像素电极上形成有机绝缘材料层；在所述有机绝缘材料层上放置包括光阻挡部分、部分透射部分和光透射部分的半色调掩模；执行暴露工艺，使得所述像素电极与所述光透射部分对应，至少部分地包围所述像素电极的像素限定层与所述部分透射部分对应，并且与所述像素限定层相邻的隔离物与所述光阻挡部分对应；以及蚀刻所述有机绝缘材料层的被暴露的一部分，使得所述像素电极上的像素区至少部分地被所述像素限定层和所述隔离物包围。所述像素限定层的锥角在大约15度到大约30度之间。
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