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发明公开
Ⅲ族氮化物半导体、表面处理方法、制造方法及结构有权转让复审申请

公开(公告)号：CN101728251A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910137472.0

申请日：2009-04-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 梁钟邻 , 李相范 , 宋尚烨 , 李时赫 , 金泰亨

IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/78

CPC classification number: H01L21/268 , H01L33/0062 , H01L33/16

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体、表面处理方法、制备方法及结构。III族氮化物半导体的表面处理方法包括以下步骤：提供包括具有III族极性的第一表面和与第一表面相对且具有氮极性的第二表面的III族氮化物半导体；将激光束照射到第二表面上，以使第二表面的氮极性改变为III族极性。

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