公开(公告)号：CN118057560A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311226067.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴廷振 ,  沈大振 ,  朴正鎭 ,  金宰源 ,  崔孝成 ,  崔虎森 ,  金善美 ,  李种晧

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/002 ,  H01G4/20 ,  H01G13/00 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种用于制造电子组件的膜。所述用于制造电子组件的膜包括：聚合物层；以及导电纳米线和磁性纳米颗粒，分散在所述聚合物层中。

公开(公告)号：CN116118310A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211097641.4

申请日：2022-09-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 沈大振 ,  朴廷振 ,  金秀珉 ,  李种晧 ,  李银贞 ,  朴正鎭

IPC: B32B27/36 ,  B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B33/00 ,  B32B38/00 ,  B29D7/01

Abstract: 本公开提供一种用于制造电子组件的膜以及用于制造电子组件的方法。所述用于制造电子组件的膜包括：聚合物层；以及金属纳米线，分散在所述聚合物层中。所述聚合物层可包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚酯类化合物。所述金属纳米线可包括诸如镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)和它们的合金中的至少一种的铁磁金属。

公开(公告)号：CN118280724A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310876553.2

申请日：2023-07-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔孝成 ,  朴正鎭 ,  崔虎森 ,  金宰源 ,  金善美 ,  李种晧

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件和用于制造多层电子组件的方法。所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上彼此相对的两个表面上；以及外电极，设置在所述主体的外部并且连接到所述内电极，其中，所述覆盖部包括氟(F)，并且A1和A2满足A2>A1，其中，A1是包括在所述覆盖部中的介电晶粒的平均尺寸，并且A2是包括在所述介电层中的介电晶粒的平均尺寸。