体声波谐振器和滤波器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116366020A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211657436.9

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器和滤波器,所述体声波谐振器包括:基板;频率控制层,根据所述频率控制层的厚度改变所述体声波谐振器的谐振频率或反谐振频率;压电层,设置在所述频率控制层和所述基板之间;第一电极,设置在所述压电层和所述基板之间;第二电极,设置在所述压电层和所述频率控制层之间;金属层,连接到所述第一电极或所述第二电极;以及保护层,设置在所述第二电极和所述频率控制层之间,其中,所述频率控制层覆盖比所述保护层的面积大的面积。

    体声波谐振器以及体声波谐振器制造方法

    公开(公告)号:CN117674755A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202310467838.0

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器以及体声波谐振器制造方法。所述体声波(BAW)谐振器包括中央部分和延伸部分,在所述中央部分中,第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上,所述延伸部分从所述中央部分向外延伸,并且插入层和防损膜在所述延伸部分中设置在所述基板与所述第二电极之间。所述防损膜形成为具有 至 的厚度。所述插入层堆叠在所述防损膜上,并且具有与所述中央部分相对的侧表面,所述侧表面形成为具有第一倾斜角度的第一倾斜表面。所述防损膜具有与所述中央部分相对的侧表面,所述防损膜的所述侧表面形成为具有第二倾斜角度的第二倾斜表面。所述第二倾斜角度形成为大于所述第一倾斜角度。

    晶片级封装件及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117894779A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202310498201.8

    申请日:2023-05-05

    Abstract: 本公开提供一种晶片级封装件及其制造方法。所述晶片级封装件包括:基板;元件部,设置在所述基板的一个表面上;盖,设置在所述基板上,以覆盖所述元件部;连接部,电连接到所述元件部;以及结合部,设置在所述连接部的外侧上,其中,所述结合部设置在所述基板和所述盖中的一者的第一表面上,其中,所述连接部的一个端部设置在所述基板和所述盖中的所述一者的与所述第一表面具有台阶差的第二表面上,并且其中,所述连接部和所述结合部利用共晶材料形成。

    体声波谐振器
    4.
    发明公开
    体声波谐振器 审中-实审

    公开(公告)号:CN113497600A

    公开(公告)日:2021-10-12

    申请号:CN202011011069.6

    申请日:2020-09-23

    Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:基板;第一电极,设置在所述基板上;压电层,设置为覆盖所述第一电极的至少一部分;第二电极,设置为覆盖所述压电层的至少一部分;金属焊盘,连接到所述第一电极和所述第二电极;以及保护层,设置为至少覆盖所述金属焊盘。

    体声波谐振器
    6.
    发明公开
    体声波谐振器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117060876A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310370482.9

    申请日:2023-04-07

    Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:基板;下电极,设置在所述基板上,包括第一倾斜表面和第二倾斜表面;以及插入层,设置在所述下电极的边缘上。所述第一倾斜表面在设置在所述插入层内侧的区域中从所述插入层的倾斜表面延伸。所述第二倾斜表面在所述第一倾斜表面的内侧的区域中从所述第一倾斜表面延伸。

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