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发明公开
多层电子组件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN114649147A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111483763.2

申请日：2021-12-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔亨综 , 李有淨 , 孙宽泳 , 成佑庆 , 朴圭植 , 朴明俊 , 元光渊

IPC: H01G4/224 , H01G4/30 , H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括：电子组件主体，包括主体和外电极，所述主体具有介电层和内电极，所述外电极设置在所述主体上；以及涂层，设置在所述电子组件主体的外表面上，并且包含硅(Si)和氟(F)中的一种或更多种，所述涂层的平均厚度大于等于5nm且小于等于15nm。

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