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公开(公告)号：CN100463196C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510008484.5
申请日：2005-02-21
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/101 , Y02E10/50
Abstract: 这里所公开的是一种适合在光学拾取再现装置中使用的光检测器，其能够在高速度下以高效率检测来自具有大容量的存储介质，如BD的短波长的光(如大约405nm的光)，以及这种光检测器的制造方法。
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公开(公告)号：CN100481479C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610072540.6
申请日：2006-04-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L27/146 , G02B5/00 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L31/02162 , H04N9/045 , H04N2209/047
Abstract: 本发明涉及图像传感器和使用该图像传感器的图像处理装置，其中图像传感器具有敞开窗格与单色滤色器格交替的滤色器阵列。图像传感器包括：透镜阵列，包括多个微透镜；滤色器阵列，具有多个敞开窗格和滤色器格，每个均对应于一个微透镜。图像传感器还包括：保护层；以及像素传感器阵列，其包括：第一光电传感器，用于感应穿过每个滤色器格的第一光；第二光电传感器，形成于第一光电传感器之下，用于感应穿过每个滤色器格的第二光；第三光电传感器，用于感应穿过每个敞开窗格的第三光；以及第四光电传感器，形成于第三光电传感器之下，用于感应穿过每个敞开窗格的第四光。
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公开(公告)号：CN100416864C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410102418.X
申请日：2004-12-22
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种多波长光接收元件。该多波长光接收元件包括第一类型基片。第一本征层被放置在第一类型基片上。重掺杂第二类型埋藏层被放置在第一本征层上，并且第二本征层被放置在重掺杂第二类型埋藏层上。多个重掺杂第一类型指被浅嵌入在第二本征层中。第一类型具有与第二类型相反的掺杂状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100473121C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610057216.7
申请日：2006-03-07
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/35518 , H04N5/361 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及一种CMOS图像传感器的图像像素，包括：光电二极管，连接至第一节点和接地端子；暗二极管，连接至第一节点和电源端子；第一晶体管，连接至第二节点、电源端子、以及第一节点，并且通过使用在第一节点中积累的信号电荷来改变连接至第一节点的节点的电势；第二晶体管，连接至第一晶体管，并且接收行选信号；以及第三晶体管，连接在第一节点与电源端子之间，并且接收复位信号。作为暗电流源的暗二极管直接连接至光电二极管，使得在图像像素中产生的暗电流能够被最小化。由于能够减小可能由暗电流产生的噪声，所以获得高信噪比，并且提高了动态范围和低照度特性，并能够改善高温下的运行特性。
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公开(公告)号：CN1885913A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610057216.7
申请日：2006-03-07
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/35518 , H04N5/361 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及一种CMOS图像传感器的图像像素，其中作为暗电流源的暗二极管直接连接至光电二极管，使得在图像像素中产生的暗电流能够被最小化。此外，由于能够减小可能由暗电流产生的噪声，所以获得高信噪比，并且提高了动态范围和低照度特性。另外，能够改善高温下的运行特性。根据本发明的CMOS图像传感器的图像像素包括：光电转换元件，连接至第一节点和接地端子；电流源，连接至第一节点和电源端子；第一开关，连接至第二节点、电源端子、以及第一节点，并且通过使用在第一节点中积累的信号电荷来改变连接至第一节点的节点的电势；第二开关，连接至第一开关，并且接收行选信号；以及第三开关，连接在第一节点与电源端子之间，并且接收复位信号。
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公开(公告)号：CN1870282A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610072540.6
申请日：2006-04-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L27/146 , G02B5/00 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L31/02162 , H04N9/045 , H04N2209/047
Abstract: 本发明涉及图像传感器和使用该图像传感器的图像处理装置，其中图像传感器具有敞开窗格与单色滤色器格交替的滤色器阵列。图像传感器包括：透镜阵列，包括多个微透镜；滤色器阵列，具有多个敞开窗格和滤色器格，每个均对应于一个微透镜。图像传感器还包括：保护层；以及像素传感器阵列，其包括：第一光电传感器，用于感应穿过每个滤色器格的第一光；第二光电传感器，形成于第一光电传感器之下，用于感应穿过每个滤色器格的第二光；第三光电传感器，用于感应穿过每个敞开窗格的第三光；以及第四光电传感器，形成于第三光电传感器之下，用于感应穿过每个敞开窗格的第四光。
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公开(公告)号：CN1787220A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510008484.5
申请日：2005-02-21
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/101 , Y02E10/50
Abstract: 这里所公开的是一种适合在光学拾取再现装置中使用的光检测器，其能够在高速度下以高效率检测来自具有大容量的存储介质，如BD的短波长的光(如大约405nm的光)，以及这种光检测器的制造方法。
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公开(公告)号：CN1767219A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200410102418.X
申请日：2004-12-22
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种多波长光接收元件。该多波长光接收元件包括第一类型基片。第一本征层被放置在第一类型基片上。重掺杂第二类型埋藏层被放置在第一本征层上，并且第二本征层被放置在重掺杂第二类型埋藏层上。多个重掺杂第一类型指被浅嵌入在第二本征层中。第一类型具有与第二类型相反的掺杂状态。
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