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发明公开
具有堆叠结构的耐等离子体构件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117438271A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310756776.5

申请日：2023-06-25

Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团

Inventor： 李仁焕 , 裵刚彬

IPC: H01J37/32 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/34 , C23C14/06

Abstract: 提供了具有堆叠结构的耐等离子体构件及其制造方法。所述耐等离子体构件包括设置在基底上并且包括氧化钇的下层、设置在下层上的缓冲层以及设置在缓冲层上并且包括氟氧化钇或富氟氧化钇的上层，其中，缓冲层的热膨胀系数处于上层的热膨胀系数与下层的热膨胀系数之间。

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