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公开(公告)号：CN117255565A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310728447.X
申请日：2023-06-19
Abstract: 本发明提供一种磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠、制造MRAM堆叠的方法和MRAM阵列。MRAM堆叠包括包含赫斯勒化合物的第一磁性层。MRAM堆叠还包括一个或更多个籽晶层，该一个或更多个籽晶层包括具有配置为模板化赫斯勒化合物的晶体结构的模板化结构。第一磁性层形成在模板化结构之上。MRAM堆叠还包括形成在模板化结构下方的铬(Cr)层。Cr层配置为增强MRAM堆叠的隧道磁阻(TMR)。
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公开(公告)号：CN118632615A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410259040.1
申请日：2024-03-07
Abstract: 本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括：包括赫斯勒化合物的第一磁性层。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，所述种子层包括配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体。所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方。所述模板化结构体包括第一二元合金的层，所述第一二元合金包括铂‑铝(PtAl)。
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公开(公告)号：CN120018513A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411453463.3
申请日：2024-10-17
Abstract: 提供了用于利用自旋转移矩的MRAM器件的方法和装置。一种器件包括：衬底；在衬底上方形成的MTJ，MTJ包括参考层、隧道势垒层和自由层；以及在MTJ的自由层上方形成的PSM层。PSM层(即，手性材料层)可以被形成为与MTJ的自由层相邻(或与TBL相邻，TBL与自由层相邻)，从而提供自旋转移矩的附加源，并提供可用较低切换电流操作的MTJ器件。
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公开(公告)号：CN103531708A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310283722.8
申请日：2013-07-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01F1/0072 , H01F10/3218 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 具有包含设计界面的人工反铁磁耦合多层的垂直磁化线的畴壁运动方法。当用电流脉冲驱动畴壁时，包括两个反铁磁耦合磁性区的磁线显示出改善的畴壁运动特性。磁性区优选包括Co、Ni和Pt并且呈现垂直磁各向异性，由此支持窄畴壁的传播。畴壁运动的方向会受到设置线层的顺序的影响。
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公开(公告)号：CN103531708B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310283722.8
申请日：2013-07-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01F1/0072 , H01F10/3218 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 具有包含设计界面的人工反铁磁耦合多层的垂直磁化线的畴壁运动方法。当用电流脉冲驱动畴壁时，包括两个反铁磁耦合磁性区的磁线显示出改善的畴壁运动特性。磁性区优选包括Co、Ni和Pt并且呈现垂直磁各向异性，由此支持窄畴壁的传播。畴壁运动的方向会受到设置线层的顺序的影响。
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