公开(公告)号：CN118317620A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410017574.3

申请日：2024-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： J·A·金 ,  金柱炫 ,  元裕镐 ,  尹园植 ,  金泰亨 ,  金炫珠

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/13 ,  H10K101/30 ,  H10K101/40

Abstract: 本发明涉及发光器件和包括其的显示设备。发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，并且所述发光层包括量子点，其中所述发光层包括靠近于所述第一电极的第一发光层和靠近于所述第二电极的第二发光层，所述第一发光层的量子点在表面上包括第一配体，并且所述第二发光层的量子点在表面上包括第二配体，所述第一配体不同于所述第二配体，所述第一发光层的HOMO能级比所述第二发光层的HOMO能级低(浅)。

公开(公告)号：CN118360059A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410078140.4

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩用锡 ,  闵智玄 ,  元裕镐 ,  J·A·金 ,  张豪根 ,  河炫同

IPC: C09K11/88 ,  H10K50/115 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K59/00 ,  C09K11/02

Abstract: 半导体纳米颗粒、其制造方法、电致发光器件和电子设备，其中所述半导体纳米颗粒包括：包括锌、硒、和硫的锌硫属化物，所述半导体纳米颗粒不包括镉，所述半导体纳米颗粒呈现出在大于或等于约455纳米(nm)且小于或等于约480nm的范围内的峰值发射波长，在光致发光光谱法分析中，所述半导体纳米颗粒呈现出大于或等于约80％的绝对量子产率和小于或等于约50nm的半宽度，并且所述半导体纳米颗粒的平均颗粒尺寸大于或等于约12nm且小于或等于约50nm。