公开(公告)号：CN118064136A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311591819.5

申请日：2023-11-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 河炫同 ,  元裕镐 ,  金泰亨 ,  元那渊 ,  张豪根

IPC分类号： C09K11/62 ,  H10K50/115 ,  C09D11/03 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

摘要： 半导体纳米颗粒、其制造方法、墨组合物、复合物、设备、电致发光器件和显示设备。所述半导体纳米颗粒包括银、铟、镓、和硫，并配置成发射蓝色光，且呈现出大于或等于约40％的量子产率和小于70nm的半宽度，并且所述蓝色光具有大于或等于约400纳米且小于490纳米的峰值发射波长。

公开(公告)号：CN118360059A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410078140.4

申请日：2024-01-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 韩用锡 ,  闵智玄 ,  元裕镐 ,  J·A·金 ,  张豪根 ,  河炫同

IPC分类号： C09K11/88 ,  H10K50/115 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K59/00 ,  C09K11/02

摘要： 半导体纳米颗粒、其制造方法、电致发光器件和电子设备，其中所述半导体纳米颗粒包括：包括锌、硒、和硫的锌硫属化物，所述半导体纳米颗粒不包括镉，所述半导体纳米颗粒呈现出在大于或等于约455纳米(nm)且小于或等于约480nm的范围内的峰值发射波长，在光致发光光谱法分析中，所述半导体纳米颗粒呈现出大于或等于约80％的绝对量子产率和小于或等于约50nm的半宽度，并且所述半导体纳米颗粒的平均颗粒尺寸大于或等于约12nm且小于或等于约50nm。