公开(公告)号：CN118360059A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410078140.4

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩用锡 ,  闵智玄 ,  元裕镐 ,  J·A·金 ,  张豪根 ,  河炫同

IPC: C09K11/88 ,  H10K50/115 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K59/00 ,  C09K11/02

Abstract: 半导体纳米颗粒、其制造方法、电致发光器件和电子设备，其中所述半导体纳米颗粒包括：包括锌、硒、和硫的锌硫属化物，所述半导体纳米颗粒不包括镉，所述半导体纳米颗粒呈现出在大于或等于约455纳米(nm)且小于或等于约480nm的范围内的峰值发射波长，在光致发光光谱法分析中，所述半导体纳米颗粒呈现出大于或等于约80％的绝对量子产率和小于或等于约50nm的半宽度，并且所述半导体纳米颗粒的平均颗粒尺寸大于或等于约12nm且小于或等于约50nm。

公开(公告)号：CN119370883A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411004299.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  尹多恩 ,  尹园植 ,  李在镕 ,  张豪根 ,  河炫同 ,  韩用锡

IPC: C01G9/00 ,  H10K50/115 ,  C01B19/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 半导体纳米颗粒、制备半导体纳米颗粒的方法、和包括半导体纳米颗粒的电致发光器件和显示设备。制备半导体纳米颗粒的方法包括使锌前体和硫前体在第一颗粒的存在下以在预定的温度下接触在所述第一颗粒上形成含有硫化锌的半导体纳米晶体层，其中所述第一颗粒包括包含锌、硒、和任选地碲的II‑VI族化合物，或者所述第一颗粒包括包含铟和磷的III‑V族化合物。所述预定的温度包括(例如，为)大于300℃且小于或等于约380℃的温度(例如，反应温度)，并且所述硫前体包括C3(例如C9)至C50的硫醇化合物或其组合。

公开(公告)号：CN118064136A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311591819.5

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河炫同 ,  元裕镐 ,  金泰亨 ,  元那渊 ,  张豪根

IPC: C09K11/62 ,  H10K50/115 ,  C09D11/03 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 半导体纳米颗粒、其制造方法、墨组合物、复合物、设备、电致发光器件和显示设备。所述半导体纳米颗粒包括银、铟、镓、和硫，并配置成发射蓝色光，且呈现出大于或等于约40％的量子产率和小于70nm的半宽度，并且所述蓝色光具有大于或等于约400纳米且小于490纳米的峰值发射波长。