公开(公告)号：CN118042857A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311511843.3

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光熙 ,  元裕镐 ,  李在镕 ,  O·曹 ,  权河一 ,  金柱炫 ,  尹园植 ,  金泰亨

IPC: H10K50/115 ,  H10K59/12 ,  H10K99/00

Abstract: 本发明涉及电致发光器件和包括其的显示设备。电致发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括多个量子点的量子点层；任选地，在所述量子点层和所述第二电极之间的电子传输层；其中所述量子点层配置成发射第一种光。所述电致发光器件进一步包括在所述量子点层和所述第一电极之间的包括无机纳米颗粒的第一层，并且无机纳米颗粒包括金属硫属化物，所述金属硫属化物包括II族金属和硫属元素。所述无机纳米颗粒具有大于或等于约0.5纳米且小于或等于约30纳米的尺寸。

公开(公告)号：CN119370883A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411004299.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  尹多恩 ,  尹园植 ,  李在镕 ,  张豪根 ,  河炫同 ,  韩用锡

IPC: C01G9/00 ,  H10K50/115 ,  C01B19/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 半导体纳米颗粒、制备半导体纳米颗粒的方法、和包括半导体纳米颗粒的电致发光器件和显示设备。制备半导体纳米颗粒的方法包括使锌前体和硫前体在第一颗粒的存在下以在预定的温度下接触在所述第一颗粒上形成含有硫化锌的半导体纳米晶体层，其中所述第一颗粒包括包含锌、硒、和任选地碲的II‑VI族化合物，或者所述第一颗粒包括包含铟和磷的III‑V族化合物。所述预定的温度包括(例如，为)大于300℃且小于或等于约380℃的温度(例如，反应温度)，并且所述硫前体包括C3(例如C9)至C50的硫醇化合物或其组合。

公开(公告)号：CN117641966A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311113108.7

申请日：2023-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： O·曹 ,  金光熙 ,  元裕镐 ,  李在镕 ,  金泰亨

IPC: H10K50/115

Abstract: 本发明涉及电致发光器件和显示设备。电致发光器件包括设置在第一电极和第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子传输层；其中所述量子点层配置成发射第一光，所述量子点层包括第一量子点，其中所述第一量子点包括第一半导体纳米晶体，其中所述电子传输层包括锌氧化物纳米颗粒，其中所述电致发光器件进一步包括在所述量子点层和所述电子传输层之间的第一层，所述第一层包括无机纳米颗粒，其中所述无机纳米颗粒具有与所述锌氧化物纳米颗粒和所述第一量子点不同的组成，和其中所述多个无机纳米颗粒金属硫属化物，和所述金属硫属化物具有比所述第一光的光能大的带隙能量。