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公开(公告)号：CN111833943B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010284474.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： A.伯曼
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种用于写入存储器单元的方法，包括：施加编程电压到目标字线；将待写为第一电阻状态的存储器单元的位线接地；设置未选位线的位线电压；以及设置未选字线的字线电压；施加编程电压到目标位线；将待写为第二电阻状态的存储器单元的字线接地；如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选字线的字线电压设置为第一值；否则，将字线电压设置为零；以及如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选位线的位线电压设置为第三值；否则，将位线电压设置为零。
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公开(公告)号：CN116418352A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211410889.1
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于Bose‑Chaudhuri‑Hocquenghem(BCH)软错误解码的方法及执行该方法的设备。该方法包括：接收码字x，其中所接收的码字x对于某一r≥1具有τ＝t+r个错误；计算仿射空间V＝{λ(x)∈F[x]:λ(x)·S(x)＝λ’(x)(mod x2t),λ(0)＝1,deg(λ(x)≤t+r}的最小单调基其中λ(x)是错误定位多项式，S(x)是校正子；计算矩阵A≡(λj(βi))i∈[w],j∈[r+1]，其中W＝{β1,...,βw}是x中的弱比特的集合；从A的子集的r+1行的子矩阵构造r+1行的子矩阵，使得最后一列是其他列的线性组合；使用从构造的子矩阵产生的最小单调基的系数来形成候选错误定位多项式；执行快速Chien搜索以验证候选错误定位多项式；在候选错误定位多项式中找到的错误位置翻转信道硬判决。
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公开(公告)号：CN111462800A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010074038.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于确定非易失性存储器器件的最佳阈值的方法，该方法包括：用默认阈值从非易失性存储器器件读取页面，并尝试使用默认阈值对该页面进行硬解码；当硬解码失败时，用预定的偏移电压再读取该页面两次，并且尝试使用默认阈值对该页面进行软解码；用每个电平的高斯分布来近似被成功解码的位的经验分布；找到高斯分布的交叉点；以及将该交叉点设置为新的读取阈值，并且用该新的读取阈值再次读取该页面。
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公开(公告)号：CN111462800B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010074038.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于确定非易失性存储器器件的最佳阈值的方法，该方法包括：用默认阈值从非易失性存储器器件读取页面，并尝试使用默认阈值对该页面进行硬解码；当硬解码失败时，用预定的偏移电压再读取该页面两次，并且尝试使用默认阈值对该页面进行软解码；用每个电平的高斯分布来近似被成功解码的位的经验分布；找到高斯分布的交叉点；以及将该交叉点设置为新的读取阈值，并且用该新的读取阈值再次读取该页面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111833942B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010268133.2
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： A.伯曼
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，该方法包括：由PRAM存储器阵列接收输入读取地址；以及从距感测放大器的字线距离相对于这些字线距离的估计最佳电流的表中选择最接近所接收的输入读取地址的距离的估计最佳参考电流。该最佳参考电流确定读取电流是“0”还是“1”，并最小化由于潜行路径和寄生元件使读取电流失真的效应而导致的误码率。
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公开(公告)号：CN111833942A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010268133.2
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： A.伯曼
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种对M个字线和N个位线的PRAM存储器阵列中的固有潜行电流去噪的方法，该方法包括：由PRAM存储器阵列接收输入读取地址；以及从距感测放大器的字线距离相对于这些字线距离的估计最佳电流的表中选择最接近所接收的输入读取地址的距离的估计最佳参考电流。该最佳参考电流确定读取电流是“0”还是“1”，并最小化由于潜行路径和寄生元件使读取电流失真的效应而导致的误码率。
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公开(公告)号：CN116361064A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211640311.5
申请日：2022-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了基于多级级联码的分层编解码架构和方案。例如，多个编码器和解码器分层可以连同级联码的对应级的使用一起实现。编解码方案通常包括内层编解码方案(例如，极化编解码方案，诸如混合极化码、博斯‑乔杜里‑霍昆亨(BCH)码)、外层编解码方案(例如，里德‑所罗门(RS)编解码方案)、以及一个或多个中间编解码方案。内层编解码方案基于极化变换(例如，具有循环冗余校验(CRC)码的极化码、具有动态冻结码的极化码、极化调整卷积(PAC)码等)，其允许将来自外层码的奇偶校验数据连同用户数据一起嵌入码字内部。外层编解码方案具有相似的级联结构(例如，内层RS码与外层RS码的级联结构)。
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公开(公告)号：CN115934407A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210684763.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器控制器、存储器控制电路及控制存储器设备的方法。该存储器控制器可以包括针对高速数据吞吐量优化的硬决策(HD)纠错码(ECC)解码器、针对高可纠正性数据吞吐量优化的软决策(SD)ECC解码器、以及被配置为可变地选择HD ECC解码器或SD ECC解码器之一用于数据吞吐量的机器学习均衡器(MLE)。存储器控制器的实施例可以基于线性ECC来提供速度优化的HD吞吐量。线性ECC可以是软汉明置换码(SHPC)。
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