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公开(公告)号：CN116190342A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211118382.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：再分布衬底；以及半导体芯片，在再分布衬底上。再分布衬底包括：多个第一导电图案，包括彼此相邻的一对第一信号图案；以及多个第二导电图案，在第一导电图案的表面上，并耦合到第一导电图案。第二导电图案包括与一对第一信号图案绝缘的接地图案。接地图案具有穿透接地图案的开口。当在平面图中观察时，该对第一信号图案与开口重叠。
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