公开(公告)号：CN1218397C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN00128891.1

申请日：2000-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永郁 ,  金炳善 ,  姜熙晟 ,  高营建 ,  朴星培

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78615

Abstract: 提供一种绝缘体上硅薄膜(SOI)集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸至体线。于是，晶体管有源区经体延伸部分与体线电学上连接。体延伸部分覆有体绝缘层。绝缘的栅图案形成在晶体管有源区的上方并且栅图案的一端与体绝缘层重叠。

公开(公告)号：CN1300102A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00128891.1

申请日：2000-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永郁 ,  金炳善 ,  姜熙晟 ,  高营建 ,  朴星培

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78615

Abstract: 提供一种绝缘体上硅薄膜(SOI)集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸至体线。于是,晶体管有源区经体延伸部分与体线电学上连接。体延伸部分覆有体绝缘层。绝缘的栅图案形成在晶体管有源区的上方并且栅图案的一端与体绝缘层重叠。