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公开(公告)号：CN118251007A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410340181.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供包括堆叠结构和沟槽的半导体装置，其包括：硅基底；多个块，包括主块和虚设块；多个沟槽，包括主沟槽和虚设沟槽；第一导电图案，在主沟槽内；第二导电图案，在虚设沟槽内；第一间隔件绝缘层，接触第一导电图案；以及第二间隔件绝缘层，接触第二导电图案。块包括：层间绝缘层和栅电极的堆叠体；和穿透堆叠体的柱。栅电极包括：最下栅电极、第一栅电极和第二栅电极。层间绝缘层包括：最下层间绝缘层；第一层间绝缘层，在最下栅电极与第一栅电极之间；以及第二层间绝缘层，在第一栅电极与第二栅电极之间。第二导电图案的最下端在比第一导电图案的最下端更高的水平处。第二导电图案的最下端与硅基底间隔开。第一导电图案的最下端接触硅基底。
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公开(公告)号：CN109427806B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810653341.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位于基底上的多个块。沟槽设置在多个块之间。导电图案形成在沟槽内部。沟槽中的最外面的沟槽的下端形成在比与最外面的沟槽相邻的沟槽的下端的水平高的水平处。多个块中的每个包括交替且重复地堆叠的绝缘层和栅电极。柱沿与基底的上表面正交的方向穿过绝缘层和栅电极。
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公开(公告)号：CN114716998A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210001385.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及组合物和包括其的有机发光器件。组合物包括第一化合物、第二化合物、和第三化合物，其中所述第一化合物、第二化合物、和第三化合物彼此不同，所述第一化合物满足如本文中描述的条件1和条件2之一，且所述第二化合物包括由式1表示的化合物，其中环A1为其中3个或更多个环状基团彼此稠合的稠环基团，并且所述3个或更多个环状基团各自为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；a1为1‑5的整数；b1为3‑10的整数；并且L1、R1和R2如本文中所描述的。式1
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公开(公告)号：CN114188350A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110881963.7
申请日：2021-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/1157
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件和包括半导体器件的电子系统。所述半导体器件，包括：衬底上的栅电极结构；沟道，延伸穿过栅电极结构；以及蚀刻停止层，在栅电极结构的侧壁上。栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开并且以阶梯形状堆叠的栅电极。沟道包括第一部分和与第一部分接触的第二部分。第二部分的下表面的宽度小于第一部分的上表面的宽度。蚀刻停止层接触栅电极中的至少一个栅电极，并且在水平方向上与沟道的第一部分的上部重叠。接触蚀刻停止层的至少一个栅电极是包括绝缘材料的虚设栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113845468A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111018780.9
申请日：2016-09-13
IPC: C07D209/86 , C07D401/10 , C07D487/04 , C07D219/02 , C07D519/00 , C07D409/14 , C07D209/88 , C07D405/14 , C07D405/10 , C07D251/24 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 公开组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件。所述组合物包括给体化合物和受体化合物，其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物。所述激基复合物满足如说明书中所描述的特定的条件。
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公开(公告)号：CN107043346A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610821939.3
申请日：2016-09-13
IPC: C07D209/86 , C07D401/10 , C07D487/04 , C07D219/02 , C07D519/00 , C07D409/14 , C07D209/88 , C07D405/14 , C07D405/10 , C07D251/24 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D209/86 , C07D209/88 , C07D219/02 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/10 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D487/04 , C07D519/00 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5024
Abstract: 公开组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件。所述组合物包括给体化合物和受体化合物，其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物。所述激基复合物满足如说明书中所描述的特定的条件。
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公开(公告)号：CN116178445A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210874042.2
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物和包括其的有机发光器件。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M1为元素周期表的第一行过渡金属、元素周期表的第二行过渡金属、或元素周期表的第三行过渡金属，L11为由式1‑1表示的配体，L12为单齿配体或双齿配体，n11为1，且n12为0、1、或2，其中其它基团和参数如详细描述中所描述的。式1M1(L11)n11(L12)n12式1‑1。
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公开(公告)号：CN110739405A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910565770.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机发光器件，其包括第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括第一化合物、第二化合物、和第三化合物，且所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，所述第一化合物和所述第二化合物各自发射光，所述第三化合物不发射光，且所述第一化合物和所述第二化合物满足如本文中描述的条件和不等式。
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