公开(公告)号：CN114824115A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210276122.8

申请日：2018-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社 ,  梨花女子大学校产学协力团

Inventor： 印守康 ,  刘永玟 ,  卢昌镐 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  李南宪

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开有机发光器件。所述有机发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层，其中有机层包括发射层，其中发射层包括主体和掺杂剂，和其中有机发光器件满足在说明书中描述的预定的条件。

公开(公告)号：CN108376743A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810039080.X

申请日：2018-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社 ,  梨花女子大学校产学协力团

Inventor： 印守康 ,  刘永玟 ,  卢昌镐 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  李南宪

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5004 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/552 ,  H01L2251/554 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/56

Abstract: 公开有机发光器件。所述有机发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层，其中有机层包括发射层，其中发射层包括主体和掺杂剂，和其中有机发光器件满足在说明书中描述的预定的条件。

公开(公告)号：CN108376743B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201810039080.X

申请日：2018-01-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社 ,  梨花女子大学校产学协力团

Inventor： 印守康 ,  刘永玟 ,  卢昌镐 ,  金钟秀 ,  金重赫 ,  李南宪

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 公开有机发光器件。所述有机发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机层，其中有机层包括发射层，其中发射层包括主体和掺杂剂，和其中有机发光器件满足在说明书中描述的预定的条件。

公开(公告)号：CN115835666A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210460120.4

申请日：2022-04-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  梨花女子大学校产学协力团

Inventor： 郑庸植 ,  刘永玟 ,  许昇雅 ,  金重赫 ,  崔玹豪 ,  金仁九 ,  裵惠珍

IPC: H10K50/11 ,  H10K85/30

Abstract: 提供有机发光器件，其包括：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，其中所述发射层包括主体、敏化剂、和发射体，其中所述主体、所述敏化剂、和所述发射体彼此不同，和其中所述敏化剂由式1表示，其中，在式1中，M1为Au、Ag、或Cu，L1为由式2‑1或式2‑2表示的配体，且L2为由式3‑1、3‑2、或3‑3之一表示的配体，其中A21、A31、A32、X31、R21‑R24、R31‑R35、b23、b33和b34如本文中所定义的，且*表示与式1中的M1的结合位点。式1M1(L1)(L2)。

公开(公告)号：CN109423279A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811018469.2

申请日：2018-09-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  梨花女子大学校产学协力团

Inventor： 印守康 ,  刘永玟 ,  金素楠 ,  金信希 ,  李昇娟 ,  金晟汉 ,  卢昌镐 ,  薛寿焕 ,  沈明善 ,  李河燮

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  C07D311/16 ,  C07C49/786 ,  C07C49/784 ,  C07C49/683

Abstract: 提供包括荧光化合物的有机发光器件和荧光化合物。有机发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和设置在所述第一电极与所述第二电极之间且包括发射层和荧光化合物的有机层，其中所述荧光化合物具有从3n-π*激发态向1π-π*激发态的3n-π*向1π-π*跃迁，所述荧光化合物在1n-π*激发态下的能级(eV)大于所述荧光化合物在1π-π*激发态下的能级(eV)，所述荧光化合物通过其在1π-π*激发态下的激子向基态的辐射跃迁而发射荧光，表述“3n-π*”中的“3”表示三线态，并且表述“1n-π*”和“1π-π*”中的“1”表示单线态，和在1n-π*激发态下的能级、在1π-π*激发态下的能级、和在3n-π*激发态下的能级各自独立地通过使用在CAM-B3LYP/6-311+G(d,p)水平下结构优化的时间依赖的密度泛函理论(TD-DFT)计算。