提供包括堆叠结构和沟槽的半导体装置，其包括：硅基底；多个块，包括主块和虚设块；多个沟槽，包括主沟槽和虚设沟槽；第一导电图案，在主沟槽内；第二导电图案，在虚设沟槽内；第一间隔件绝缘层，接触第一导电图案；以及第二间隔件绝缘层，接触第二导电图案。块包括：层间绝缘层和栅电极的堆叠体；和穿透堆叠体的柱。栅电极包括：最下栅电极、第一栅电极和第二栅电极。层间绝缘层包括：最下层间绝缘层；第一层间绝缘层，在最下栅电极与第一栅电极之间；以及第二层间绝缘层，在第一栅电极与第二栅电极之间。第二导电图案的最下端在比第一导电图案的最下端更高的水平处。第二导电图案的最下端与硅基底间隔开。第一导电图案的最下端接触硅基底。