公开(公告)号：CN1067325A

公开(公告)日：1992-12-23

申请号：CN92100194.0

申请日：1992-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌来

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明系提供一种半导体记忆装置，系由：记忆单元、文字线、一对位元线、及自由充电手段所构成，其中更包含漏电流补偿电路，用以补偿与记忆单元连接的位元线的漏电流、及防止流入记忆单元的CMOS长周期电流，所用CMOS电晶体交叉结合，所构成的。

公开(公告)号：CN1315132C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN00132395.4

申请日：2000-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌来 ,  朴钟烈 ,  郑珉喆 ,  韩相集

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

Abstract: 一种半导体存储装置及其操作方法。该存储装置使用刷新型存储单元。在读/写周期中，用零写入恢复时间完成刷新和连续读/写操作。在读/写周期变得很长上时，在读写周期期间执行多次刷新操作。因此该装置操作没有最大写周期时间限制。该方法利用外部写命令储存地址和数据到寄存器而不是存储单元阵列中。当外部写命令发数据存在的信号时，需要零写入恢复时间，而不管外部写需要多长时间完成。在外部写命令结束之后的一时间内，短脉动写操作把数据转移到存储单元阵列。

公开(公告)号：CN100470474C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200510068846.X

申请日：2005-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌来

IPC: G06F9/445 ,  G06F11/14

CPC classification number: G06F9/4401

Abstract: 提供了一种存储器系统，其包括：主存储器，存储主数据和参考数据；第一存储装置，存储参考数据；以及控制器，当接收到加电信号时从主存储器访问参考数据，并且当测试出从主存储器检索的参考数据与第一存储装置中的参考数据相同时，将主数据装载到第二存储装置中。还提供了一种用于引导非易失性存储器的方法，其包括：在主存储器中预先存储引导代码和参考数据；在寄存器中预先存储参考数据；在通电时从主存储器访问参考数据；比较寄存器中的参考数据与从主存储器访问的参考数据；以及如果寄存器中的参考数据与从主存储器访问的参考数据相同，则将引导代码装载到引导RAM中，而如果不同，则重复从主存储器访问参考数据并将其与寄存器中的参考数据进行比较。

公开(公告)号：CN1696899A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510068846.X

申请日：2005-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌来

IPC: G06F9/445 ,  G06F11/14

CPC classification number: G06F9/4401

Abstract: 提供了一种存储器系统，其包括：主存储器，存储主数据和参考数据；第一存储装置，存储参考数据；以及控制器，当接收到加电信号时从主存储器访问参考数据，并且当测试出从主存储器检索的参考数据与第一存储装置中的参考数据相同时，将主数据装载到第二存储装置中。还提供了一种用于引导非易失性存储器的方法，其包括：在主存储器中预先存储引导代码和参考数据；在寄存器中预先存储参考数据；在通电时从主存储器访问参考数据；比较寄存器中的参考数据与从主存储器访问的参考数据；以及如果寄存器中的参考数据与从主存储器访问的参考数据相同，则将引导代码装载到引导RAM中，而如果不同，则重复从主存储器访问参考数据并将其与寄存器中的参考数据进行比较。

公开(公告)号：CN1331472A

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：CN00132395.4

申请日：2000-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌来 ,  朴钟烈 ,  郑珉喆 ,  韩相集

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/40615 ,  G11C11/406

Abstract: 一种半导体存储装置及其操作方法。该存储装置使用刷新型存储单元。在读/写周期中,用零写入恢复时间完成刷新和连续读/写操作。在读/写周期变得很长上时,在读写周期期间执行多次刷新操作。因此该装置操作没有最大写周期时间限制。该方法利用外部写命令储存地址和数据到寄存器而不是存储单元阵列中。当外部写命令发数据存在的信号时,需要零写入恢复时间,而不管外部写需要多长时间完成。在外部写命令结束之后的一时间内,短脉动写操作把数据转移到存储单元阵列。