公开(公告)号：CN111312801B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201910949506.X

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金文铉 ,  朴炳国 ,  赵槿汇 ,  金时铉 ,  李基太

IPC: H10D62/10 ,  H10D64/27 ,  H10D62/13 ,  H10D84/83 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的栅极结构。半导体装置包括有源图案，其与栅极结构相交并具有在第一方向上的宽度和在第二方向上的高度。宽度小于高度。另外，半导体装置包括电连接到有源图案的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN111312801A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201910949506.X

申请日：2019-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金文铉 ,  朴炳国 ,  赵槿汇 ,  金时铉 ,  李基太

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的栅极结构。半导体装置包括有源图案，其与栅极结构相交并具有在第一方向上的宽度和在第二方向上的高度。宽度小于高度。另外，半导体装置包括电连接到有源图案的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN118829207A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410234973.5

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相昊 ,  郑文泳 ,  金时铉 ,  洪润基

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：第一位线，其在第一方向上延伸；第一半导体图案，其在第二方向上延伸并且包括彼此相对的第一端和第二端，第一半导体图案的第一端与第一位线接触；第一字线，其在第一半导体图案上并且在第三方向上延伸；选择线，其邻近于第一半导体图案的第二端并且平行于第三方向；第二半导体图案，其介于选择线和第一半导体图案之间并且具有彼此相对的第一端和第二端；第二位线，其在第一方向上延伸并且与第二半导体图案的第一端接触；以及源极线，其在第一方向上延伸并且与第二半导体图案的第二端接触。