具有栅电极的半导体器件

    公开(公告)号:CN111276539A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201910565810.4

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 一种半导体器件包括:第一鳍,从衬底突出并沿第一方向延伸;第二鳍,从衬底突出并沿第一方向延伸,第一鳍和第二鳍间隔开;栅线,包括虚设栅电极和栅电极,虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍,栅电极至少部分地覆盖第二鳍,虚设栅电极包括与栅电极不同的材料,栅线覆盖第一鳍和第二鳍,栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸;以及栅电介质层,在栅电极和第二鳍之间。

    具有栅电极的半导体器件

    公开(公告)号:CN111276539B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN201910565810.4

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 一种半导体器件包括:第一鳍,从衬底突出并沿第一方向延伸;第二鳍,从衬底突出并沿第一方向延伸,第一鳍和第二鳍间隔开;栅线,包括虚设栅电极和栅电极,虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍,栅电极至少部分地覆盖第二鳍,虚设栅电极包括与栅电极不同的材料,栅线覆盖第一鳍和第二鳍,栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸;以及栅电介质层,在栅电极和第二鳍之间。

    具有中介件的半导体封装
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113782514A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202110646815.7

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 本发明公开了一种半导体封装,该半导体封装包括封装基板。中介件设置在封装基板上。中介件包括半导体基板、设置在半导体基板的上表面上并在其中具有多个布线的布线层、设置在布线层上并电连接到布线的重新分布布线焊盘、设置在重新分布布线焊盘上的接合焊盘、以及设置在布线层上并暴露接合焊盘的至少一部分的绝缘层图案,第一半导体器件和第二半导体器件设置在中介件上。第一半导体器件和第二半导体器件彼此间隔开并通过布线中的至少一个彼此电连接。

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