半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116096079A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211320162.4

    申请日:2022-10-26

    Inventor: 金弘来 权赫宇

    Abstract: 一种半导体器件,包括:栅极结构,在衬底上;绝缘中间层,在衬底上且覆盖栅极结构的侧壁;封盖层,在栅极结构和绝缘中间层上;布线,在封盖层上;绝缘图案,在开口的底部和侧壁上,该开口延伸穿过布线、封盖层的至少上部分;以及蚀刻停止层,在绝缘图案和布线上。绝缘图案包括在开口的底部上的下部分和与开口的侧壁接触的侧部分。绝缘图案的下部分在竖直方向上距开口的底部的厚度大于绝缘图案的侧部分在水平方向上距开口的侧壁的厚度。

    半导体器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107833872B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201710930511.7

    申请日:2013-05-03

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间,并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分,并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107833872A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201710930511.7

    申请日:2013-05-03

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括一对布置在衬底上的线路图案。接触插塞布置在所述一对线路图案之间,并且空气间隙布置在所述接触插塞与所述线路图案之间。接合焊盘从所述接触插塞的顶端延伸以覆盖所述空气间隙的第一部分,并且绝缘层布置在所述空气间隙未被所述接合焊盘覆盖的第二部分上。

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