公开(公告)号：CN103048876A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210383423.7

申请日：2012-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贞珠 ,  金京美 ,  金珉廷 ,  李东峻 ,  金富得

IPC: G03F1/56 ,  G03F7/20 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/203 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸。该方法还包括：在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN107065437A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611191846.3

申请日：2016-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洙荣 ,  崔在喜 ,  李政勋 ,  金富得 ,  李浚齐 ,  金年洙

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/322 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/788 ,  G03F7/004 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物、形成图案的方法和制造半导体器件的方法。光刻胶组合物包括：包含光刻胶聚合物和染料树脂的共混物的光敏树脂、光致产酸剂、和溶剂，其中基于所述光敏树脂的总重量，所述染料树脂的量在约20重量％‑约80重量％的范围内。

公开(公告)号：CN109946928A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811508715.2

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张允祯 ,  金洙荣 ,  金富得 ,  李秀镇

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了用于检测光刻胶的材料和制造半导体器件的方法。所述用于检测光刻胶的材料可以包括具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质，所述大环分子是环糊精、葫芦脲、杯芳烃、柱芳烃和索烃中的至少一种。