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公开(公告)号：CN1307341A
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN00119316.3
申请日：2000-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/72 , G11C29/44 , G11C29/4401
Abstract: 一种包括内建自修复(BISR)电路的集成电路半导体器件。BISR电路具有用于保存嵌入式存储器故障单元信息的多个行填充项目和多个列填充项目。尺寸对应于存储器行和列冗余数目的行/列填充项目包括:故障单元行/列地址、相同行/列地址上出现的故障单元数目、保存有相对列/行地址的相对项目的位置。通过选择行/列填充项目并删除在其相对填充项目中保存的故障单元数目,BISR电路可以有效地根据剩余的修复信息来执行故障单元的自修复。
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公开(公告)号：CN1224973C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN00119316.3
申请日：2000-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/72 , G11C29/44 , G11C29/4401
Abstract: 一种包括内置自修复(BISR)电路的集成电路半导体器件。BISR电路具有用于保存嵌入式存储器故障单元信息的多个行填充项目和多个列填充项目。尺寸对应于存储器行和列冗余数目的行/列填充项目包括：故障单元行/列地址、相同行/列地址上出现的故障单元数目、保存有相对列/行地址的相对项目的位置。通过选择行/列填充项目并删除在其相对填充项目中保存的故障单元数目，BISR电路可以有效地根据剩余的修复信息来执行故障单元的自修复。
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公开(公告)号：CN1170936A
公开(公告)日：1998-01-21
申请号：CN97113300.X
申请日：1997-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/18 , G01R31/31813
Abstract: 带有测试电路的半导体集成电路,能在测试操作的适当时间对存储器电路部分进行有效的刷新,包括:测试用地址产生装置64;测试用数据产生装置56;比较地址产生装置56产生的地址和刷新点地址是否相同,如果相同,则禁止地址产生装置的比较装置62;刷新地址产生装置66;响应控制信号,对地址产生装置64的输出信号或刷新地址产生装置66的输出信号进行有选择输出的选择装置68;以及BIST控制装置50。
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公开(公告)号：CN1106648C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN97113300.X
申请日：1997-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/18 , G01R31/31813
Abstract: 带有测试电路的半导体集成电路，能在测试操作的适当时间对存储器电路部分进行有效的刷新，包括：测试用地址产生装置64；测试用数据产生装置56；比较地址产生装置56产生的地址和刷新点地址是否相同，如果相同，则禁止地址产生装置的比较装置62；刷新地址产生装置66；响应控制信号，对地址产生装置64的输出信号或刷新地址产生装置66的输出信号进行有选择输出的选择装置68；以及BIST控制装置50。
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