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公开(公告)号：CN118843316A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311470247.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件，包括：第一衬底；布线部分，在第一衬底上；第二衬底，在布线部分上；第一栅极堆叠结构，在第二衬底上；第二栅极堆叠结构，在第一栅极堆叠结构上；以及沟道结构，穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，并且连接到第二衬底，其中，第二衬底包括第一材料层和设置在第一材料层上的第二材料层，第一材料层包括包含第一材料的多晶硅，第二材料层包括包含与第一材料不同的第二材料的多晶硅，并且绝缘层设置在布线部分和第二衬底之间。
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