公开(公告)号：CN110518015B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910269680.X

申请日：2019-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪祥准 ,  金利柱 ,  申重植

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的下导电层。导电线在下导电层上。提供在导电线中的掩埋沟槽。提供在导电线上并在掩埋沟槽中延伸的支撑物。包括交替堆叠的多个绝缘层和多个导电层的堆叠结构在支撑物上。提供穿过堆叠结构、支撑物和导电线的沟道结构。提供穿过堆叠结构、支撑物和导电线的隔离沟槽。

公开(公告)号：CN110518015A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910269680.X

申请日：2019-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪祥准 ,  金利柱 ,  申重植

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的下导电层。导电线在下导电层上。提供在导电线中的掩埋沟槽。提供在导电线上并在掩埋沟槽中延伸的支撑物。包括交替堆叠的多个绝缘层和多个导电层的堆叠结构在支撑物上。提供穿过堆叠结构、支撑物和导电线的沟道结构。提供穿过堆叠结构、支撑物和导电线的隔离沟槽。