公开(公告)号：CN109713122A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。

公开(公告)号：CN109713122B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。

公开(公告)号：CN104347796A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410370250.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑塡 ,  金基雄 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/224 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。

公开(公告)号：CN104347796B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201410370250.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑塡 ,  金基雄 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。