公开(公告)号：CN113065632A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202011480559.0

申请日：2020-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京民

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06K9/62

Abstract: 提供了一种验证用于图像识别的神经网络的训练的方法和设备。所述方法包括：向基于第一框架实现第一神经网络的第一模块提供作为测试数据的图像数据；向基于第二框架实现与第一神经网络具有相同的结构的第二神经网络的第二模块提供作为测试数据的图像数据；从第一模块获得从提供给第一模块的测试数据生成的第一数据；从第二模块获得从提供给第二模块的测试数据生成的第二数据；以及将第一数据与第二数据进行比较。

公开(公告)号：CN1819155A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510136890.X

申请日：2005-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京民 ,  金东俊 ,  李光云

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/822 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/57

Abstract: 提供了一种形成半导体器件的电容器的方法。在该方法中，电容器下电极淀积在半导体衬底上，且然后介电层淀积在该下电极上。介电阻挡层淀积在该介电层上部。该介电阻挡层包括用于防止介电层的漏电流特性降低的材料。该方法还包括在介电阻挡层上部淀积电容器上电极。

公开(公告)号：CN1808699A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510129754.8

申请日：2005-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京民 ,  金东俊 ,  金秉东

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/31645 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/0688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在金属－绝缘体－金属(MIM)电容器中形成氮化钛层的方法。氮化钛层的沉积使用金属－有机材料作为源气体，通过MOCVD法实现，伴随着在高温下的快速热工艺(RTP)。通过RTP，除去在氮化钛层中的杂质，氮化钛层的表面积与RTP之前相比增大了。具有增大表面积的氮化钛层有益于MIM电容器的下电极。