读出放大器及其操作方法以及包括该读出放大器的存储器件

    公开(公告)号:CN119785839A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202410520920.X

    申请日:2024-04-28

    Inventor: 郑海旭 李昌永

    Abstract: 一种与位线和互补位线连接的读出放大器,该读出放大器包括:第一晶体管,连接在位线和第一节点之间,并且包括连接到第三节点的第一栅极端子;第二晶体管,连接在第一节点和互补位线之间,并且包括连接到第四节点的第二栅极端子;第三晶体管,连接在位线和第二节点之间,并且包括连接到第三节点的第三栅极端子;以及第四晶体管,连接在互补位线和第二节点之间,并且包括连接到第四节点的第四栅极端子,其中,从读出放大器朝向位线和互补位线观察到的第一RC值和第二RC值不同,并且其中,第二晶体管被配置为在第一时间段期间接收编程电压。

    图像传感器
    2.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN117497548A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202310962842.4

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 一种图像传感器包括:第一衬底层;比第一衬底层更厚的第二衬底层;衬底间绝缘层,其布置在第一衬底层与第二衬底层之间;第一杂质区、成对的第二杂质区、以及第三杂质区,它们彼此间隔开并且布置在第一衬底层的一些部分上。图像传感器还包括:光电二极管区,其构成布置在第二衬底层上的光感测装置;传输晶体管,其包括第一栅电极层,第一栅电极层填充栅极孔、穿过第一衬底层和衬底间绝缘层、并且延伸至第二衬底层;以及浮动扩散区,其布置在第一衬底层的一侧上并且连接至传输晶体管。

    图像传感器
    3.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116705810A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310180993.4

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括:半导体基底,包括彼此相对的第一表面和第二表面;光电转换区,位于半导体基底中;垂直传输栅极,从第一表面朝向光电转换区延伸到半导体基底中;浮置扩散区,设置在半导体基底中,与垂直传输栅极间隔开,并且为n型杂质区;以及第二杂质区,设置在垂直传输栅极与浮置扩散区之间,并且为p型杂质区。

    三维半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119997503A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411470239.5

    申请日:2024-10-21

    Inventor: 朴建熹 郑海旭

    Abstract: 一种半导体器件包括第一位线、第二位线、字线、第一沟道、第二沟道以及电容器。第一位线和第二位线在衬底上主要地在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开。字线包括第一延伸部分和第二延伸部分,第一延伸部分在第一位线与第二位线之间主要地在第三方向上延伸,第二延伸部分在与第一延伸部分相同的高度主要地在第二方向上延伸并且连接到第一延伸部分。第一沟道和第二沟道均延伸穿过第一延伸部分。电容器包括:电连接到第一沟道的第一电容器电极、设置在第一电容器电极的表面上的电介质图案、以及设置在电介质图案的表面上并且电连接到第二沟道的第二电容器电极。

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