公开(公告)号：CN105611195B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201510791452.0

申请日：2015-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵镛性

IPC: H04N5/367

Abstract: 本发明提供一种图像传感器、应用处理器和处理坏像素的方法。该方法包括：确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否被包括在核中，当代表性像素被包括在核中时，确定第一像素是否为坏像素，以及当第一像素被确定为坏像素时，使用核中的第二像素来补偿第一像素。所述核在核的中心处具有第一像素。

公开(公告)号：CN105611195A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510791452.0

申请日：2015-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵镛性

IPC: H04N5/367

Abstract: 本发明提供一种图像传感器、应用处理器和处理坏像素的方法。该方法包括：确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否被包括在核中，当代表性像素被包括在核中时，确定第一像素是否为坏像素，以及当第一像素被确定为坏像素时，使用核中的第二像素来补偿第一像素。所述核在核的中心处具有第一像素。

公开(公告)号：CN103546701B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201310292452.7

申请日：2013-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵镛性 ,  李东宰 ,  金泰瓒

IPC: H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/23212 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/045

Abstract: 提供一种像素阵列、图像传感器及补偿局部暗电流的方法。提供一种用于图像传感器的像素阵列。所述像素阵列包括暗像素，该暗像素被构造为检测有源像素块中的局部暗电流。所述暗像素与光学黑色像素块不同，其中，所述光学黑色像素块被布置在有源像素块周围并被构造为检测全局暗电流。所述像素阵列被构造为补偿暗阴影，其中，所述暗阴影不通过使用从布置在有源像素块内的暗像素输出的局部暗电流的全局暗电流补偿进行补偿。

公开(公告)号：CN103546701A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310292452.7

申请日：2013-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵镛性 ,  李东宰 ,  金泰瓒

IPC: H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/23212 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/045

Abstract: 提供一种像素阵列、图像传感器及补偿局部暗电流的方法。提供一种用于图像传感器的像素阵列。所述像素阵列包括暗像素，该暗像素被构造为检测有源像素块中的局部暗电流。所述暗像素与光学黑色像素块不同，其中，所述光学黑色像素块被布置在有源像素块周围并被构造为检测全局暗电流。所述像素阵列被构造为补偿暗阴影，其中，所述暗阴影不通过使用从布置在有源像素块内的暗像素输出的局部暗电流的全局暗电流补偿进行补偿。