公开(公告)号：CN109524542A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811092070.9

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵汉娜 ,  尹惠智 ,  权五益

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 一种制造MRAM器件的方法包括：形成第一绝缘夹层和下电极接触，下电极接触延伸穿过第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层和下电极接触上形成下电极层、磁隧道结层、上电极层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模；蚀刻第一硬掩模层和上电极层以形成第一硬掩模和上电极；在上电极的侧壁以及第一硬掩模和第二硬掩模的侧壁上形成间隔物；以及蚀刻磁隧道结层和下电极层，以在下电极接触上形成包括下电极和磁隧道结图案的结构，其中，在蚀刻磁隧道结层和下电极层之后，一层留在上电极上。

公开(公告)号：CN109524542B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201811092070.9

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵汉娜 ,  尹惠智 ,  权五益

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 一种制造MRAM器件的方法包括：形成第一绝缘夹层和下电极接触，下电极接触延伸穿过第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层和下电极接触上形成下电极层、磁隧道结层、上电极层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模；蚀刻第一硬掩模层和上电极层以形成第一硬掩模和上电极；在上电极的侧壁以及第一硬掩模和第二硬掩模的侧壁上形成间隔物；以及蚀刻磁隧道结层和下电极层，以在下电极接触上形成包括下电极和磁隧道结图案的结构，其中，在蚀刻磁隧道结层和下电极层之后，一层留在上电极上。